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采用溶剂热方法合成了3个多元硫属化合物[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)(Q=S(1)和Se(2))和[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)(3),用X-射线单晶衍射测定了化合物的结构,并通过红外光谱、紫外-可见漫反射光谱对其进行了表征。单晶结构解析表明,化合物1和2都属于正交晶系,Pccn空间群(No.56),晶体结构是由[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2+配合物阳离子和[Sn2Q6]4-二聚体通过Mn-Q键连接而成的[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)低聚体,相邻的低聚体之间通过氢键相连形成三维结构。化合物3属于三斜晶系,晶体结构是由[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)单元通过氢键连接而成的二维结构。紫外-可见漫反射光谱结果显示化合物1,2和3的带隙分别为2.5,2.1,2.4 e V,属于半导体材料。 相似文献
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在惰性气氛氩气保护下,通过高温固相反应合成得到了一个二元极性金属间化合物MgIn2。经X-射线单晶衍射与元素分析等方法确定了其晶体结构。MgIn2属立方体系,空间群为Fd3m(No.227),晶体学参数a=0.956 13(16)nm,V=0.874 1(3)nm3,Z=8,R1=0.035 3,wR2=0.082 8。MgIn2属于CaAl2结构类型,其结构特征为[In4]四面体通过共用顶点In原子链接而成的三维框架结构,Mg原子填充在三维框架的空隙中。能带结构计算表明MgIn2属于金属性的化合物。 相似文献
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采用溶剂热方法合成了3个多元硫属化合物[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)(Q=S(1)和Se(2))和[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)(3),用X-射线单晶衍射测定了化合物的结构,并通过红外光谱、紫外-可见漫反射光谱对其进行了表征。单晶结构解析表明,化合物1和2都属于正交晶系,Pccn空间群(No.56),晶体结构是由[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2+配合物阳离子和[Sn2Q6]4-二聚体通过Mn-Q键连接而成的[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)低聚体,相邻的低聚体之间通过氢键相连形成三维结构。化合物3属于三斜晶系,晶体结构是由[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)单元通过氢键连接而成的二维结构。紫外-可见漫反射光谱结果显示化合物1,2和3的带隙分别为2.5,2.1,2.4eV,属于半导体材料。 相似文献
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采用溶剂热方法合成了3个多元硫属化合物[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)(Q=S(1)和Se(2))和[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)(3),用X-射线单晶衍射测定了化合物的结构,并通过红外光谱、紫外-可见漫反射光谱对其进行了表征。单晶结构解析表明,化合物1和2都属于正交晶系,Pccn空间群(No.56),晶体结构是由[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2+配合物阳离子和[Sn2Q6]4-二聚体通过Mn-Q键连接而成的[Mn(1,2-dap)2(H2O)]2(μ-Sn2Q6)低聚体,相邻的低聚体之间通过氢键相连形成三维结构。化合物3属于三斜晶系,晶体结构是由[Mn(tren)]2(μ-Sn2S6)单元通过氢键连接而成的二维结构。紫外-可见漫反射光谱结果显示化合物1,2和3的带隙分别为2.5,2.1,2.4 e V,属于半导体材料。 相似文献
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