稀土发光材料在固体白光LED照明中的应用

固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源. 要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术, 把InGaN半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外光转换成白光. 分别就这两种管芯报道了我们研制的发射蓝、绿、黄、红等不同颜色的稀土发光材料： YAG：Ce, Ca1-xSrxS：Eu^2＋, Ga2S3：Eu^2＋, MGa2S4：Eu^2＋（M=Ca, Sr, Ba）, SrGa^2＋xS4＋y：Eu^2＋, （Ca1-xSrx）Se：Eu^2＋, SrLaGa3S6O：Eu^2＋, （M1, M2）10（PO4）6X2, （M1=Ca, Sr, Ba; M2=Eu, Mn; X=F, Cl, Br）, NaEu0.92Sm0.08（MoO4）2, 并报道了由它们制成的白光发光二极管的色坐标、相关色温和显色指数等参数.     

室内燃烧源排放颗粒物及多环芳烃的粒径分布研究

室内燃烧源排放颗粒物及其多环芳烃(PAHs)的粒径分布是定量评估室内人群呼吸暴露风险的重要参数之一。该研究在再悬浮箱内模拟燃香、燃蚊香、艾灸和吸烟等过程,采用MOUDI采样器采集和分析颗粒物中17种PAHs;同时,采用颗粒物计数器,在实际房间中模拟艾灸和吸烟过程,得到室内颗粒物数浓度的衰减曲线。结果表明,燃烧源烟雾颗粒的排放因子为3.68～22.46 mg/g,颗粒质量粒径呈单峰型,峰值为0.25～0.44μm;US EPA 16种优控PAHs的排放因子为10.52～91.30μg/g,艾绒燃烧排放PAHs的粒径峰值为0.44～1.0μm,略大于其它燃烧源;1μm颗粒中PAHs的BaP等效毒性当量(BaP_(TEQ))的贡献占比为85%～98%。来源特征比值的研究显示,艾灸、燃香和吸烟释放的PAHs均归属于生物质燃烧类别。实际室内监测显示,在艾绒和香烟燃烧后室内颗粒物数浓度快速上升,在燃尽时达到峰值,而后在4 h内呈指数规律衰减,且0.3μm的细颗粒衰减最快。     

SrBPO5:Ce3+的VUV光谱

研究了Ce³⁺离子激活的SrBPO₅在130—400nm波长范围的光谱性质.在VUV激发光谱上指认了Ce³⁺的5个4f¹→4f⁰5d¹跃迁激发带.发现在SrBPO₅中Ce³⁺的5d轨道能级重心位于43.2×10³cm^－1,这在氧化物基质中是比较高的.此外,还报道和讨论了SrBPO₅的基质吸收带和Ce³⁺的5d轨道在SrBPO₅中的晶体场劈裂及SrBPO₅:Ce³⁺在VUV-UV激发下的发射光谱.     

Ga2S3∶Eu2+和SrGa2+xS4+y∶Eu2+系列荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉. 发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570 nm附近, SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535 nm附近. 同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中, 过量的Ga对发光的影响, 通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中; 通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移, 而是增强其在400～520 nm处激发峰的强度, 从而增强Eu2+在535 nm处的发光强度.     

Ga2S3：Eu^2＋和SrGa^2＋xS4＋y：Eu^2＋系列荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法合成了Ga2S3：Eu^2 和SrGa2S4：Eu^2 系列荧光粉。发现Ga2S3：Eu^2 的发射峰位于570nm附近，SrGa2S4：Eu^2 的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2 xS4 y：Eu^2 体系中，过量的Ga对发光的影响，通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中；通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4：Eu^2 发射峰的位移，而是增强其在400-520nm处激发峰的强度，从而增强Eu^2 在535nm处的发光强度。