含有长程拓扑性无序螺位错晶格中因势场引起的散射态和束缚态

螺位错的长程拓扑性无序对固体中所传播的波提供特殊的介体。用这种介体研究电势对电子态的影响。作为简单的例子要使用方势阱模型。在这种介体中用相移分析法能成功地得到散射解。未微扰的波函数不是平面波而是Aharouov-Bohm方程的严格解。束缚态能级的数目和位置依赖于电子的耦合和拓扑性无序。     

在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。 关键词：     

纳米孔径核孔膜的制备研究

高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后，对样品进行陈化和紫外线照射敏化．用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一亿径迹蚀刻速率(灵敏度)的影响，结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍，PET的灵敏度可达1000，PC的灵敏度可达2000，可以用于制备纳米孔径核孔膜．核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm．用电导法计算纳米孔的孔径，该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好．     

绝缘磁芯平面变压器的漏磁补偿

针对绝缘磁芯平面变压器因绝缘膜而产生的漏磁问题,提出了在每层次级线圈的两端并联补偿电容的解决方法。通过理论分析给出了补偿电容大小的推导公式,利用CST和Protel对搭建的绝缘磁芯平面变压器的仿真计算发现,引入补偿电容后,变压器总的输出电压提高了约17.6%,同时各层次级线圈输出电压的大小基本相同。仿真结果与实验结果一致,从而验证了并联补偿电容方法的有效性。     

纳米孔径核孔膜的制备研究

高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化.用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一化径迹蚀刻速率(灵敏度)的影响,结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍,PET的灵敏度可达1000,PC的灵敏度可达2000,可以用于制备纳米孔径核孔膜.核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm.用电导法计算纳米孔的孔径,该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好.