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1.
GaAs 的禁带宽度为1.428eV,而且是直接跃迁,是光电化学电池中很好的电极材料.一些作者研究了 n-GaAs 为基的光电化学电池.本文讨论了光强,化学刻蚀、氧化还原对浓度及离子修饰对 n-GaAs 光电化学电池输出特性的影响.所用的电极为低阻 n-GaAs[(100)面],N_D=5.1×10~(17)cm~(-3),试验前通高纯氮20分钟.测光强用的辐照计经上海计量局校正,其它测试方法同前文.  相似文献   
2.
应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图,结果为一第四象限内半园,由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数;研究了电极电位及光强对这些参数的影响,并对结果进行了讨论。  相似文献   
3.
本文应用光脉冲技术研究了电极电位及电流对n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中暂态行为的影响。结果表明,响应峰值处的规律与稳态相似,电位及电流对衰减影响可用逆扩散机理来解释,光强变化对衰减无影响。实验中还发现响应衰减过程有过冲现象。最后讨论了光强及电极电位对输出电量的影响。  相似文献   
4.
应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图, 结果为一第四象限内半园, 由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数; 研究了电极电位及光强对这些参数的影响, 并对结果进行了讨论。  相似文献   
5.
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