升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应;同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.     

硅烷化GC-MS指纹图谱在卷烟品牌分析中的应用

采用硅烷化衍生化法结合气相色谱-质谱(GC-MS)法对卷烟烟丝中的主要化学成分进行检测,获得了21个卷烟样品的烟丝硅烷化GC-MS指纹图谱数据,并应用聚类分析和主成分分析法对烟丝硅烷化GC-MS指纹图谱数据进行综合评价。结果表明,该方法可用于不同品牌卷烟的比较和区分,硅烷化成分的含量分布特征能反映不同品牌卷烟的特性,可为卷烟品牌的风格表征、品质维护和真伪鉴别提供参考。     

光电离质谱法测定卷烟抽吸过程中烟气成分在人体呼吸道的截留

采用光电离质谱法测定卷烟抽吸过程中烟气成分在人体呼吸道的截留.将烟气采样系统与光电离质谱相结合,通过取样毛细管的长度优化、烟气成分的光电离质谱图定性分析、吸入和呼出的流量数据优化,实现吸入和呼出烟气的直接采样和质谱检测,以计算卷烟抽吸过程中烟气成分的人体呼吸道截留率.结果表明,吸烟者经口腔循环抽吸卷烟时,烟气成分在人体...     

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.     

聚焦数学核心素养 引导立体几何教学——以2021年高考数学全国甲卷文科第19题为例北大核心

高考数学文科立体几何试题一般以棱柱、棱锥为载体,主要考查空间几何体的体积计算,直线与直线、直线与平面、平面与平面位置关系的证明等知识.突出考查阅读理解、信息整理、语言表达、批判性思维四项关键能力;题目蕴含了数形结合、转化与化归等思想方法。这些题目往往较为聚焦学生的直观想象、逻辑推理、数学运算等数学学科核心素养,可有效考察“四基”和“四能”的落实情况.因此立体几何试题具有较高的数学学科育人价值和核心素养发展价值,在高考中占有举足轻重的地位.     

Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.     

两个三(邻溴苄基)锡羧酸酯的合成、结构及抗肿瘤活性

合成了2个有机锡羧酸酯化合物三(邻溴苄基)锡噻吩2-甲酸酯(1)和三(邻溴苄基)锡肉桂酸酯(2).通过元素分析、红外光谱、核磁共振谱(1H、13C和119Sn)、差热分析、X射线单晶衍射方法对1和2进行了结构表征,对其结构进行了量子化学从头计算.结果 显示,化合物1和2均为单锡核结构,锡原子均为四配位的畸变四面体构型....