污泥堆肥农用中重金属在海桐中的积累效应

采用小区试验的方法,研究了金华污水厂污泥堆肥土地利用过程中海桐根部对重金属的吸收及富集作用。结果表明,海桐对Cu均表现出比Zn更强的富集能力,而对Cd、Pb的富集能力很弱,其须根对重金属的吸收能力显著高于主根;就不同重金属的绝对吸收量而言,对Zn的吸收总量是最高的;须根中的Zn含量总体呈现随土壤中Zn含量增加而上升的趋势。     

金华市城市污水处理厂污泥成分及农用价值分析

为确定金华市城市污水处理厂污泥资源化利用途径,对金华市某污水处理厂的脱水污泥进行了采样和成分分析.结果表明,所有污泥为中性,pH 6.89,含水率较高75%;污泥中有机质、氮、磷、钾含量丰富;污泥中重金属的含量较低,均符合国家农用污泥中污染物控制标准.以此为基础对污泥的农用价值及其应用前景作了分析和展望.     

6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激发的光致发光(PL)谱显示, 薄膜在480-600 nm范围内存在衬底未观察到的较强发光. 拟合得到的发光峰与依据量子阱结构模型计算出的发光位置较为一致. 由此表明, 该强发光带可能是6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构的发光.     

Graphene films grown on sapphire substrates via solid source molecular beam epitaxy

A method for growing graphene on a sapphire substrate by depositing an SiC buffer layer and then annealing at high temperature in solid source molecular beam epitaxy (SSMBE) equipment was presented. The structural and electronic properties of the samples were characterized by reflection high energy diffraction (RHEED), X-ray diffraction Φ scans, Raman spectroscopy, and near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy. The results of the RHEED and Φ scan, as well as the Raman spectra, showed that an epitaxial hexagonal α-SiC layer was grown on the sapphire substrate. The results of the Raman and NEXAFS spectra revealed that the graphene films with the AB Bernal stacking structure were formed on the sapphire substrate after annealing. The layer number of the graphene was between four and five, and the thickness of the unreacted SiC layer was about 1--1.5 nm.     

MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.     

锌在不同植物种苗中的吸收效应分析

为探讨植物种苗对水体中锌的吸收效应,采用实验室内培养方法,选择了玉米等7种作物种苗为受试品种,研究了不同植物对锌的吸收。结果表明,除棉花外,各类作物在5 d内可使水体中锌含量明显降低,黑芝麻、玉米、水稻植物幼苗的根中分别积累了高达19.8、18.8、15.9mg.g1,地上部茎叶中积累了8.2、10.1、7.1 mg.g1的锌。提出选择具有"超量积累倾向"的作物种苗进行环境水体中锌污染的植物修复。     

预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在Si(111)衬底上预沉积不同厚度(0、0.2、1 nm)Ge, 在衬底温度900 ℃, 生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品进行了研究. 结果表明, 预沉积少量Ge(0.2 nm)的样品, SiC薄膜表面没有孔洞存在, AFM显示表面比较平整, 粗糙度比较小, FTIR结果表明薄膜内应力比较小. 这说明少量Ge的预沉积抑制了孔洞的形成, 避免衬底Si扩散, 因而SiC薄膜的质量比较好. 没有预沉积Ge的薄膜, 结晶质量比较差, SiC薄膜表面有孔洞且有Si存在. 然而预沉积过量Ge (1 nm) 的样品, 由于Ge的岛状生长,导致生长的SiC表面粗糙度变大, 结晶质量变差, 甚至导致多晶产生.     

重金属Pb、Cu联合攻毒对泥鳅卵细胞发育胁迫的显微观察

采用静水生物测试手段,试验了Pb、Cu不同质量浓度(0.00、0.10、0.25、0.50、1.00mg.L-1)及不同时间(10、20、30 d)对泥鳅卵细胞发育的胁迫。显微观察结果显示,在重金属染毒10、20、30 d后,泥鳅卵细胞胞质外渗、萎缩、干瘪,高质量浓度组卵细胞受损尤为明显。泥鳅卵细胞对不同质量浓度处理组重金属均表现出时间-剂量效应。在各质量浓度处理组中,随着染毒时间的延续,泥鳅卵巢及卵细胞均出现功能丧失和生物学死亡的现象。     

MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的Mn_xSi_1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8％和17％)样品中存在着Mn₄Si₇化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的Mn_xSi_1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn₄Si₇模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出Mn_xSi_1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在Mn_xSi_1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn₄Si₇化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子. 关键词： xSi_1-x磁性薄膜')" href="#">Mn_xSi_1-x磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES