用蒙脱土酸处理法制备洗用4A沸石过程中石英问题的探讨

目前我国洗涤剂用４Ａ沸石实现半工业化的是采用以水玻璃、氢氧化铝为起始原料的全合成法[1],以该法生产沸石的产品质量较稳定,但生产成本较高。而以蒙脱土为原料的合成４Ａ沸石,生产成本可以大大降低［２－４］,但是蒙脱土中往往含有石英杂质,如果不设法去除,必将影响产品的纯度,使其质量指标（白度、粒度、钙离子交换量）难以达到洗涤剂行业标准［５］,而且洗衣粉中含有石英也会磨损衣物。 本文将重点讨论石英这一问题,包括如何测定石英杂质含量和如何在用蒙脱土生产洗涤剂用４Ａ沸石过程中去除石英杂质。１实验部分１．１实验样…     

四面体磷酸镓和磷酸锗镓构成的新型—维链状分子筛结构

以1，3-丙二胺为模板剂，在溶剂热条件下合成了两个一维磷酸盐微孔分子筛 ：[GaP2O7(OH)][NH3(CH2)3NH3](1)和[Ge0.5GaP1.5O6.5(OH)1.5][NH3(CH2)3NH3] (2).X射线单晶结构解析表明，两个晶体结构分别由镓氧四面体和磷氧四面体，或 镓氧四面体，锗氧四面体和磷氧四面体组成，并沿层c轴方向形成链，这些链之间 由1，3-丙二胺相连，1的结晶学数据为Mr=331.82,P-1,a=0.8303(2)nm,b=0.8614 (3)nm,c=0.8880(2)nm,a=111.70(3)°,β=107.5(92)°,γ=98.39(2)°，V=0. 5382(3)nm^3,Z=1,MoKa,λ=0.071073nm,R(F)=5.56,wR(F^2)=14.36,2的结晶学数据 为：P2（1）/c,a=0.88968(7)nm,b=1.67562(13)nm,c=0.83666(7)nm,β=115.890 (2),V=1.12208(16)nm^3,Z=4,MoKa,R(F)=4.66,wR(F2)=10.10。     

HDPE/EPDM/CB复合物的PTC效应

聚合物正温度系数 (PTC)材料 ,是由聚合物基体与炭黑、碳纤维、金属粉末等导电填料共混而成的一种功能导电复合材料 ,其特点是 :当温度升高时 ,在聚合物结晶熔点附近 ,材料的电阻率随温度升高急剧增加 ,可发生几个数量级的突跃 .聚合物 PTC材料可用作自限温加热器、过电流保护器、传感器等 ,有广阔的发展前景 .目前对聚合物 PTC材料的研究主要以聚乙烯 [1～ 5]、乙烯 -醋酸乙烯酯共聚物[6] 、偏氟乙烯 [7] 等单一组分聚合物作为基体材料 .本文研究了以高密度聚乙烯 (HDPE) /三元乙丙胶(EPDM)共混物为基体材料的炭黑 (CB)导电复合材…     

核壳型沸石分子筛的合成、表征与应用

概述了核壳型沸石分子筛的合成、表征和催化应用等方面的最新研究成果,总结了其结构特点与分类、制备方法和合成过程关键影响因素,并展望了核壳型沸石分子筛研究的发展方向和其在催化、吸附和分离方面的应用前景.根据其合成方法和两相结构类型的异同,核壳型沸石分子筛可分为三类:同晶型核壳沸石分子筛、外延共生型核壳沸石分子筛和复合型核壳沸石分子筛.     

Ge_(10)O_(28)单元构建的两个三维锗酸盐结构:(H_3O)_4Ge_7O_(16)·3H_2O和K_4Ge_9O_(20)

在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的空间结构 .H4 Ge7O16 ·7H2 O的结晶学数据为Mr=894 2 7,P 43m ,a =0 7730 9( 18)nm ,V =0 462 0 5 ( 19)nm3,Z =1,MoKα ,λ =0 0 710 73nm ,R(F) =3 48% ,wR(F2 ) =8 39% .K4 Ge9O2 0 的结晶学数据为 :Mr=112 9 71,I4( 1) /a ,a =1 5 0 0 2 ( 3)nm ,c =0 7383( 2 )nm ,V =1 6618( 7)nm3,Z =4,MoKα ,R(F) =3 92 % ,wR(F2 ) =11 97% .     

Ge_10O_28单元构建的两个三维锗酸盐结构：（H_3O)_4Ge_7O_16·3H_2O和K_4Ge_9O_20

在半水溶剂热条件下,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛：（ H_3单晶结构解析表明,两个晶体结构具有相同的"火箭状"二级结构单元（SBU）, SBU的不同的连接方式导致了完全不间结构．H_4Ge_7O_(16)·7H_2O的结晶学数据 为M_r=894 ．27,Pλ=O．071073nm,R（F）=3．48％,wR（F~2）＝8．39％． K_4Ge_9O_(20)的结晶学数据为C=0.7383（2）nm,V=16618（7）nm~3,Z＝4,Mo Ka,R（F）=3．92%,wR(F~2)=11.97%.