Cu(Ⅰ)与丙二腈、2,2′-联吡啶及邻菲罗啉配合物的电化学合成及荧光光谱

用牺牲金属阳极的电化学方法合成两种新的一价铜配合物Cu（Ⅰ）(dipy)[CH(CN)2]及Cu(Ⅰ)(phen)[CH(CN)2]。利用元素分析,红外光谱,核磁共振确证了配合物的组成,并研究了配合物的结构,荧光光谱和电合成机理。     

初始啁啾对飞秒脉冲在光子晶体光纤中超连续谱产生的影响

采用分步傅里叶方法模拟了初始啁啾对光子晶体光纤中超连续谱产生的影响.根据光纤长度，将光子晶体光纤中脉冲的演化分成初始展宽、剧烈展宽和饱和展宽三个阶段.通过讨论啁啾脉冲和无初始啁啾脉冲在各阶段演化的区别，发现啁啾只在初始展宽和剧烈展宽阶段对光谱有影响，当β₂C<0时啁啾有利于光谱的展宽，当β₂C>0时则刚好相反，在饱和展宽阶段啁啾不再对光谱产生影响.要想利用啁啾脉冲来获得较宽的光谱，必须选择合适的光纤长度，使输出的脉冲处于剧烈展宽阶段.这为利用啁啾脉冲在光子晶体光 关键词： 超连续谱 光子晶体光纤 分步傅里叶法 啁啾     

常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.     

例说反比例函数中的分类讨论

我们知道:当数学问题中的条件、结论不明确或题意中含待定系数或图形不确定时,就应分类讨论.在反比例函数中,也存在这种情况,我们一起来看几例.     

石墨烯折角场发射特性

针对直立的石墨烯边沿悬挂键易吸附气体分子,影响发射稳定性的问题,本文将石墨烯转移到墙状绝缘结构上,获得石墨烯折角.结合电感耦合等离子体刻蚀和湿法腐蚀法在硅衬底上制得墙状绝缘结构,以石墨烯折角作为场发射尖端,测试研究了石墨烯折角的场发射特性和石墨烯中内导电流对场发射的影响.结果表明:石墨烯折角的场发射开启场强为9.6V/μm;在2 000V阳极电压下,当石墨烯两端偏压从0V增加到10V时,场发射电流从4.5μA增加到15μA.     

自掺杂改性Bi_4O_5X_2(X=Br,I)异质结催化剂的合成及在油田废液处理上的应用

通过调控原料中五水硝酸铋和卤源的比例制备了自掺杂改性Bi_4O_5X_2(X=Br, I)光催化材料,Bi_4O_5X_2(X=Br,I)光催化性能得到明显提升.分别用X射线衍射仪分析催化剂的晶体结构、环境扫描电子显微镜观测催化剂的形貌、紫外可见漫反射分光光度仪测试催化剂的光吸收性能、 ST-MP-9全自动比表面积测试仪测试催化剂的比表面积.通过测定光降解油田污染物丙烯酰胺的吸光度值和化学需氧量(COD)值的变化研究了催化剂的催化活性.结果表明,经过5 h的紫外可见光光降解反应,Bi_4O_5Br_2-Bi2.6降解丙烯酰胺的性能最好,降解率达到58.2%、 COD值降低87.1%.     

最小加权费用树问题

本文在赋顶点权θ的无向网络中,建立了最小加权费用树问题的网络模型,对问题的复杂性给出了证明并给出了求解该问题的算法。     

复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm~2.     

非对易相空间中的狄拉克振子的能级和Wigner函数

非对易几何、弦论和圈量子引力理论的发展,使非对易空间受到越来越多的关注.非对易量子理论不同于平常的量子理论,它是弦尺度下的特殊的物理效应,处理非对易量子力学问题需要特殊方法.本文首先介绍了Moyal方程与Wigner函数,利用Moyal-Weyl乘法与Bopp变换将H(x,p)变换成^H(^x,^p),考虑坐标—坐标、动量—动量的非对易性,实现对非对易相空间中星乘本征方程的求解.并利用非对易相空间量子力学的代数关系,讨论了非对易相空间中狄拉克振子的Wigner函数和能级,研究结果发现非对易相空间中狄拉克振子的能级明显依赖于非对易参数.     

石墨烯折角场发射特性EI北大核心CSCD

针对直立的石墨烯边沿悬挂键易吸附气体分子,影响发射稳定性的问题,本文将石墨烯转移到墙状绝缘结构上,获得石墨烯折角.结合电感耦合等离子体刻蚀和湿法腐蚀法在硅衬底上制得墙状绝缘结构,以石墨烯折角作为场发射尖端,测试研究了石墨烯折角的场发射特性和石墨烯中内导电流对场发射的影响.结果表明:石墨烯折角的场发射开启场强为9.6V/μm;在2 000V阳极电压下,当石墨烯两端偏压从0V增加到10V时,场发射电流从4.5μA增加到15μA.