非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

α-二亚胺镍(Ⅱ)催化甲基丙烯酸甲酯聚合

以4种不同结构的α-二亚胺镍(Ⅱ)催化剂[(t-Bu)—N CH—CH N—(t-Bu)]NiBr2(C1),[C6H5—N C(Me)—C(Me)N—C6H5]NiBr2(C2),[(2,6-C6H3(Me)2)—N C(Me)—C·(Me)N—(2,6-C6H3(Me)2)]NiBr2(C3)和[(2,6-C6H3(i-Pr)2)—N C(An)—C(An)N—(2,6-C6H3(i-Pr)2)]NiBr2(An=acenaphthyl)(C4),在甲基铝氧烷(MAO)作用下,对甲基丙烯酸甲酯(MMA)进行催化聚合.以C2为模型催化剂系统研究了Al/Ni摩尔比、单体浓度、聚合温度、聚合时间和反应溶剂对催化活性及聚合物分子量的影响.在较适合的聚合条件(催化剂用量为1.6μmol,Al/Ni摩尔比为800,MMA浓度为2.9 mol/L,甲苯为溶剂,聚合温度为60℃,聚合时间为4 h)下,讨论了催化剂结构对催化活性和聚合物分子量的影响.研究发现,催化剂C1~C3催化MMA聚合均得到富含间规结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA).催化剂结构中空间位阻增大导致催化活性降低,空间位阻最小的C1催化活性最高[达107.8 kg/(mol Ni·h)];而空间位阻最大的C4催化活性仅为7.8 kg/(mol Ni·h).催化剂结构中给电子效应增加有利于催化活性及聚合物分子量的增加.C2催化活性为62.5 kg/(mol Ni·h),所得聚合物的分子量为5.0×104;而具有较强给电子效应的C3催化活性达到96.9 kg/(mol Ni·h),并得到更高分子量的聚合物(7.6×104).     

在小硅化物SiXm（X—H，F，Cl；m＝1─4）中平衡几何和振动频率的从头算研究

本文使用分子轨道从头算方法，在ＨＦ／６—３１Ｇ和ＭＰ２／６—３１Ｇ“水平下，计算了小硅化物ＳｉＸｍ的平衡几何和谐振子振动频率。理论值和实验值的比较表明，对于ＳｉＨｍ分子，实验的键长位于ＨＦ键长和ＭＰ２键长之间，而ＭＰ２振动频率更接近于实验的振动；率。对于ＳｉＣｌｍ分子，无论是键长还是振动频率ＨＦ值和ＭＰ２值都比较接近。对于ＳｉＦｍ分子，处于这两类的中间情况。关联作用随着Ｘ原子的原子序数的增加而减弱。     

α-二亚胺镍(Ⅱ)催化甲基丙烯酸甲酯聚合

以4种不同结构的α-二亚胺镍(Ⅱ)催化剂[(t-Bu)—N CH—CH N—(t-Bu)]NiBr₂(C1), [C₆H₅—N C(Me)—C(Me) N—C₆H₅]NiBr₂(C2), [(2,6-C₆H₃(Me)₂)—N C(Me)—C·(Me) N—(2,6-C₆H₃(Me)₂)]NiBr₂(C3)和[(2,6-C₆H₃(i-Pr)₂)—N C(An)—C(An) N—(2,6-C₆H₃(i-Pr)₂)]NiBr₂(An=acenaphthyl)(C4), 在甲基铝氧烷(MAO)作用下, 对甲基丙烯酸甲酯(MMA)进行催化聚合. 以C2为模型催化剂系统研究了Al/Ni摩尔比、 单体浓度、 聚合温度、 聚合时间和反应溶剂对催化活性及聚合物分子量的影响. 在较适合的聚合条件(催化剂用量为1.6 μmol, Al/Ni摩尔比为800, MMA浓度为2.9 mol/L, 甲苯为溶剂, 聚合温度为 60 ℃, 聚合时间为4 h)下, 讨论了催化剂结构对催化活性和聚合物分子量的影响. 研究发现, 催化剂C1~C3催化MMA聚合均得到富含间规结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA). 催化剂结构中空间位阻增大导致催化活性降低, 空间位阻最小的 C1催化活性最高[达107.8 kg/(mol Ni·h)]; 而空间位阻最大的C4催化活性仅为7.8 kg/(mol Ni·h). 催化剂结构中给电子效应增加有利于催化活性及聚合物分子量的增加. C2催化活性为62.5 kg/(mol Ni·h), 所得聚合物的分子量为5.0×10⁴; 而具有较强给电子效应的C3催化活性达到96.9 kg/(mol Ni·h), 并得到更高分子量的聚合物(7.6×10⁴).     

连同数与9或9的倍数乘积的速算法

《黑龙江珠算》1989年第二期上刊登了李章保同志的《跟踪乘法在心算中的应用》一文．文中叙述了连同数与9或9的倍数(只限两位)的速算法．本人经过探讨发展有更快的速算法，而且理论上浅显明白，并且不限制9的倍数的位数(当然得能看出是9的倍数、即多少倍)，下面我把这一速算理论公式推导出来．以及列举具体实际例子加以说明。     

0212型Ca3Cu2O4+δCl2-y化合物高温高压合成与研究

 利用“顶角氧掺杂”机制，即以二价氧部分替代顶角一价氯，用Ag₂O做氧源，在高温高压下制备了单相的Ca₃Cu₂O_4+δCl_2-y样品。X射线衍射分析发现，随着Ag₂O含量的增加，Ca₃Cu₂O_4+δCl_2-y样品的晶格常数a逐渐变小，c逐渐增大，体现了空穴掺杂的本质。进行了电阻率和磁化率测量，没有发现超导性，可能是空穴载流子没有达到合适的浓度所致。     

在小硅化物SIX_4~m（X＝H，He，Li，Be，O，F，Ne，Na，Mg，S，Cl，Ar；m＝0，±4）中分子成键倾向的从头算研究

用从头算方法，在ＨＦ／ＳＴＯ－３Ｇ、ＨＦ／３－２１Ｇ和ＨＦ／６－３１Ｇ水平上研究了小硅化物的成键倾向性。计算结果表明，所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值（ＳｉＬｉ_４除外），与已知的稳定分子ＳｉＨ_４、ＳｉＦ_４和ＳｉＣｌ_４比较，含惰性元素的未知分子ＳｉＨｅ、ＳｉＮｅ和ＳｉＡｒ比含碱金属和碱土金属的未知分子ＳｉＬｉ_４、ＳｉＮａ_４、ＳｉＢｅ和ＳｉＭｇ有较明显的成键可能性，而未知分子ＳｉＳ介于其间，所以ＳｉＨｅ、ＳｉＮｅ和ＳｉＡｒ有可能成为稳定的新分子的候选对象。