BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型

本文分析了BaTiO₃半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO₃半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO₃半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO₃半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO₃半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础     

载流子穿越具有双Mot势垒的半导体晶界的输运行为

讨论了穿越具有双Mot势垒的n型半导体晶界的载流子输运行为，重点分析了受主缺陷扩散层对偏压下晶界势垒、直流电流、非线性特性和电容等的作用．晶界势垒在偏压下的变化决定了载流子穿越晶界的输运行为分为预击穿、击穿和回复三个区域．受主缺陷扩散层的存在改变了势垒及其偏压关系，使电流的变化和非线性特性大幅度加强，很大程度上决定了预击穿区的漏电流；同时也使势垒加宽而减小高频电容，但使直流偏压下因晶界电荷的共振响应而产生的电容峰值增大 关键词：     

金属氧化物催化剂在不同气氛中的除氚性能

建立了惰性气氛和含氧气氛的除氚模拟系统,通过三种金属氧化物催化剂(Cu O,Ag-X和H506-2)上除氢性能的考察来优化除氚系统的工艺参数。结果表明金属氧化物催化剂在两种不同气氛下均能够高效除氢,除氢效率99%以上。在此基础上,选用H506-02为除氚催化剂,工作温度为400℃时,建立的小型除氚器可使不同气氛的原气达到深度除氚的效果。     

分析型超临界流体萃取技术在测定中药肉苁蓉化学成分中的应用

采用分析型超临界流体萃取技术提取中药肉苁蓉的组分,然后以气相色谱/质谱联用仪测定了萃取物的化学成分,并考察了影响萃取效率的主要因素。结果表明,与常规中药研究方法相比,本法可更有效地从复杂的中药基体中提取它们的成分。     

扩散极限下n型半导体的晶界附近的准费米能级

本文由受主缺陷扩散层模型详细计算了扩散极限下晶界附近的准费米能级的空间变化。对ｎ型半导体费米能级的变化几乎全部落在负偏向的晶界附近的较小的范围内。在受主缺陷扩散层中费未能级的变化是线性的。晶界和正偏向晶粒的费未能级只差一个ｋＴ数量级的值，受主缺陷扩散层存在并不改变该值和外加电压的关系但系数增大。     

显微结构对多晶材料的电学性能及其色散的影响

本文探讨了显微结构对多晶材料的电学性能及色散的影响,结果表明当晶界的厚度分数减小时,多晶材料的电阻率单调减小,而介电常数存在一个仅和微观电性有关的极大值;显微结构的不均匀性使介电常数和电阻率的色散曲线平化(或色散区域宽化)与介电损耗因子的峰值减小。     

《工科物理》的教学目标选择──《工科物理》教学改革初探之二

本文提出《工科物理》教学的首要目标不在于个别物理知识的传授，而是培育与发展学生科学思维的能力与品格．《工科物理》对置身于迅速更新换代的技术领域中的未来工程师提供必要的物理基础与新的起点．这门课对造就具有现代意识，开放的认识结构及较高文化品位的人有着十分重要的意义．