赝标介子的唯象模型（I)

本文基于场论中的旋量一旋量Bethe-Sapeter 方程(以下简称B-S 方程), 提出了一种满足相对论协变性要求的强子间的唯象平底势.并计算得到了在动量中的O-介子波函数. 关键词：     

一种计算半导体力常数的简单途径——对GaAs(111)-2×2表面声子研究的应用

本文利用成键轨道近似简化电子能带结构能量的计算,导出了任意杂化下半导体力常数的解析表达式。通过对一些材料声子色散曲线的计算和实验结果的比较,表明该方法是简单有效的。作者将其应用于GaAs(111)-2×2表面声子的研究,得到了该表面的强局域声子模的色散曲线。 关键词：     

SU(4)磁单极子与双子解

以SU(4)规范群为例,提出一个简单求解磁单极子及双子的经典解的方法,它可系统地推广于一般的SU(N)群的情况.所得到的SU(4)单磁荷为■     

赝标介子的唯象模型(Ⅱ)——电磁形状因子

本文直接以平底势计算得到的赝标介子波函数,在欧氏空间中计算出物理的0^-介子的类空电磁形状因子。数值结果表明,在适当选择参数下,理论计算的结果能和实验相符合。 关键词：     

量子体系的相空间规范变换

外尔于1918年引入的规范变换实际上是相位变换而非真正的尺度变换,但规范不变性、规范理论等概念都沿袭了下来。我们发现,针对由量子化条件[x,p]=ih而来的量子体系之本征值问题存在规范变换,或者说尺度变换,x→x/α,p→αp,该变换保体系的能量谱不变。量子谐振子、氢原子问题及一类多体问题的精确解析解证实了这一点。量子化条件[x,p]=ih看来是个对量子力学很强的约束,不止于能量的量子化。这个规范变换提醒我们相空间的体积及其量子化才是物理的关键,这也是量子力学和统计物理在潜意识里一直沿用却未予关注的思路。有趣的是,从量子谐振子体系的相空间表述似乎不能导向这个结论。如同规范理论所断言的电磁学量在给定坐标系下的数值表征与标度无关,我们认为量子体系的物理量,如能量谱等,在给定坐标系下的数值表征亦应与标度无关。此尺度变换与德布罗意关系相恰。     

GEOMETRIC AND ELECTRONIC STRUCTURES OF Ti8C12 CLUSTER

The electronic structure of Ti₈C₁₂ clusters with three possible geometric structures suggested in the literature is studied using the discrete-variational local-density-functional method. The results show that the ground states of the clusters are all degenerate, which means further Jahn-Teller distortions for the geometric structures of clusters. The results also indicate that the distorted dodecahedral Ti₈C₁₂ cluster, which is proposed by Guo et al. and optimized by the first principle calculations, is the most stable one among the clusters we considered and its electronic structure can explain the experimental observations. In this cluster, there is a strong pd bonding between Ti and C atoms, and the density of states at the Fermi energy is high.     

金属中晶界的原子密度分布与其正电子湮没寿命谱特征

在一简单晶界模型的基础之上,求解纯A1晶界的正电子捕获态和计算相应的寿命谱,由此讨论了晶界原子密度分布与寿命谱之间的关联,并尝试对已有的实验结果进行理论上的解释.     

Si(111)理想、弛豫及2×1重构表面的声子谱研究

本文利用微扰的方法考虑了占据态与空态间的耦合对能带能量的影响,给出延展键轨道近似下半导体力常数的解析表达式.利用这些表达式求出Si(111)的理想、1×1弛豫及2×1Haneman模型重构表面的声子色散曲线及其表面振动的振幅分布.不同表面结果的比较显示弛豫及重构对表面声子性质具有决定性的影响.同时,分析表明Haneman的2×1表面重构模型不足以满意地解释有关实验结果.     

DV-X_a计算a-SiO_2电子结构

利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响.