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20 0 2年 8月 12日的Phys .Rev .Lett.第 89卷第 0 75 5 0 2页上发表了Petkov等的论文“渗入Cs的ITQ - 4沸石 (Zeolite)的结构 :在膺一维空隙中的金属离子列和相关的电子” ,文中发展了X射线原子对分布函数 (PDF)方法 .这种结构可以发展成为应用广泛的新的电极材料 .沸石ITQ - 4是一种由SiO4四面体为骨架的网格状硅酸盐 ,其中的空隙尺寸略小于1nm ,允许尺寸小于它的分子通过 ,因此它也是一种分子筛 .沸石原来是晶态 ,渗入Cs后则处于晶态和非晶态之间的中间状态 ,其中的晶态部分产生X射线布拉格… 相似文献
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利用二次电子成象的扫描电子显微镜的分辨率一般可以达到几十埃,但利用二次离子成象的离子探针的分辨率多年来停留在1μm. 美国《今日物理》1982年7月号报道:芝加哥大学的R.L.Setti等和休斯(Hughes)研究实验室的R.Seliger等协作,利用高亮度离子源产生的离子束激发二次电子成象, 相似文献
6.
现有光刻技术改进后可以制造线宽为0.13μm的集成电路1995年美国《固态技术》2月号和3月号连续发表文章,认为现有光刻技术经过改进,可以沿用到2004年,用来制造线宽为0.13um的集成电路。随着集成电路的飞速发展,1995年光刻技术达到的最小线宽... 相似文献
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Mott N F(NevillFrancis)爵士1905年9月30日生于英国Leeds.他的父亲和母亲曾一起在剑桥大学Cavendish实验室(物理系)J.J.Thomson研究组的实验室工作过,父母亲对他成为物理学家的影响远超过中学老师.他先在Bristol的Clifton学院学习;1924-1927年在剑桥大学StJohn's学院(成立于1511年)学数学和理论物理并发表散射理论方面的论文.1928年在Fowler(Dirac的老师、著名物理学家王竹溪1935-1938年留英时的导师)的安排下从剑桥到哥本哈根Bohr的研究所等著名研究单位作访问学者、继续钻研量子力学和原子碰撞理论. 相似文献
8.
本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度Tc的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅Tc(=100℃)比非缩聚区中(Tc=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的Tc均约为280℃,合金膜中金属含量较低时(CAu<17at%,CAg<18at%),Tc高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,Tc低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。
关键词: 相似文献
9.
The as-deposited and annealed Ge-Au film and Ge-Au/Au bilayer films have been observed by transmission electron microscopy. The bilayer with a composition of Ge-5at%Au film is amorphous, while the Ge-22at%Au film is polycrystalline. Higher concentration of Au raises the structural heterogeneity and instability. Fractals can be observed in the Ge-5at%Au/Au bilayer samples annealed at 60-100℃. The difference of the fractal patterns generated from Ge-Au/An and a-Ge/Au films call be attributed to the higher heterogeneity and instability in Ge-Au/An bilayers. 相似文献
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