《共产党宣言》教育思想解析

主要介绍了《共产党宣言》所论述的资本主义教育本质及无产阶级在夺取革命政权后所采取的四条革命措施：以人为本、全面发展观、生产与劳动相结合、实施义务教育与民主教育。     

纳络酮与醒脑静联用治疗急性酒精中毒疗效观察

我院急诊科于2007年9月～2008年2月，在抢救急性酒精中毒的患者时，联合使用纳络酮与醒脑静治疗较单用纳络酮治疗疗效显著，现报道如下。1临床资料2007年9月～2008年2月间，我院急诊科共收治急性酒精中毒患者127例，选择有意识障碍患者58例（Glasgow评分为4～9分），男40例，女18例，     

磁悬浮长大干线车站设计的探讨

在综合考虑磁悬浮长大干线特点基础上,参考高速铁路车站的类型特点,根据磁悬浮线路特点和在长大干线上磁悬浮列车的运行特点,从磁悬浮车站的分类、站型设计和站场相关参数的计算等方面探讨了磁悬浮长大干线车站的设计.     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。     

溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3＋：Al2O3光学薄膜

用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 ：Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后，SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0．01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向，掺摩尔比0．01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构，平均粒径为30～100nm，平均孔径为50～100nm，表面起伏度为10～20nm。掺摩尔比0．01Er^3 ：rAl2O3薄膜，获得了中心波长为1．534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。     

基于自相关的激光编码解算

分析了半自主激光制导武器的激光编码规律，提出了运用自相关技术对激光编码进行解算。通过仿真试验验证，运用该技术可准确预测、精确同步复制敌方激光编码，并形成有效的激光诱饵，达到全程自适应干扰的目的。     

La-Fe-M(M=Al, Si)化合物磁热性能研究进展

介绍了La-Fe-M(M=AI,Si)化合物在磁热性能研究方面的最新进展。具有NaZn13型晶体结构,含高浓度Fe的La-Fe—M(M=AI,Si)化合物为良好的软磁材料;用少量的Co替代化合物中Si,Al元素可以将化合物的居里温度提高至室温;对La(Fe1-yCoy)xSi13-x化合物,适量的Si,Co组合可使化合物在室温产生可与Gd5Si2Ge2比拟的磁热效应;加入适量的间隙原子H,也可使La(FexSi1-x)13在室温的磁热性能远远大于金属Gd;对含Si量低及含Si量高的La(FexSi1-x)13化合物在相转变点附近由温度和磁场诱导相变的本质做了详细阐述。     

3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究

3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH＜4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0～pH＜7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数.     

纳米金在DNA生物传感器和基因芯片研究中的应用

综述了近年来纳米金在DNA生物传感器及基因芯片中的研究、应用和发展，并对其在生物科技方面的发展趋势进行了展望。参考文献31篇。     

3,3′,5,5′-四甲基联苯胺在SnO_2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究

3,3′,5,5′-四甲基联苯胺(TMB)在不同 pH 的 B-R 缓冲溶液中有不同的电氧化行为. 文中以自制的 SnO2:F 膜光透薄层光谱电化学池对 TMB 的电氧化性质进行了研究. TMB 在 pH 2.0 至pH < 4.0 的 B-R 缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程, 在 pH 4.0 ~ pH < 7.0 的 B-R 缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程, 且在 pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程, 随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物. 实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术; 测得了在各 pH 值的 B-R 缓冲溶液中 TMB 电氧化相应的克式量电位 E0′, 电子转移数 n 以及有关的化学反应速率常数.