共轭亚麻酸的制备、表征和生物活性研究进展

近年来的研究发现共轭亚麻酸(CLN)具有多种非常有益的生理功能,已成为化学家、药理学家、营养学家争相研究的热点。本文就CLN的制备、表征、分离分析以及生物活性等方面,对国内外的研究进行了综述。CLN的制备包括化学法、生物法和天然产物提取法三大类。CLN的表征方法主要有紫外光谱、红外光谱、核磁共振等方法,以及采用气相色谱法(GC)、高效液相色谱法(HPLC)和毛细管电泳法(CE)等方法对合成的CLN混合物进行分离分析。CLN的生物活性主要有抗癌、降血脂、减肥、抗致癌等。     

GeSn (0.524 eV) single-junction thermophotovoltaic cells based on the device transport model

Based on the transport equation of the semiconductor device model for 0.524 eV GeSn alloy and the experimental parameters of the material, the thermal-electricity conversion performance governed by a GeSn diode has been systematically studied in its normal and inverted structures. For the normal p⁺/n (n⁺/p) structure, it is demonstrated here that an optimal base doping N_d(a) = 3 (7)×10¹⁸ cm^-3 is observed, and the superior p⁺/n structure can achieve a higher performance. To reduce material consumption, an economical active layer can comprise a 100 nm-300 nm emitter and a 3 μm-6 μm base to attain comparable performance to that for the optimal configuration. Our results offer many useful guidelines for the fabrication of economical GeSn thermophotovoltaic devices.     

氧化还原引发制备乙氧酰胺苯甲酯分子印迹微球及其表征

以乙氧酰胺苯甲酯为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,季戊四醇三丙烯酸酯为交联剂,在过氧化苯甲酰和N,N-二甲基苯胺的引发作用下,制备了乙氧酰胺苯甲酯的分子印迹聚合物微球。优化的致孔溶剂为乙腈,模板、单体和交联剂的摩尔比为1∶6∶20。采用高效液相色谱法测定模板分子及其结构类似物的浓度,结合静态平衡吸附实验、吸附动力学实验和选择性评价,对聚合物的吸附性能进行了研究,所得微球的静态吸附量为15.0μmol·g-1,印迹因子为4.93。采用扫描电子显微镜、红外光谱仪和差示扫描量热仪表征聚合物的理化特性,结果表明,微球的形貌规则,印迹效应显著,热稳定性较好。本研究所采用的氧化还原引发方法具有制备简便、成本低以及特异性好等优点,为分子印迹聚合物的引发制备提供了新思路。     

阵列纳米通道中氨基官能团质子化研究

质子化过程是大多数酸碱理论的核心,也发生在许多生命过程中。因此,研究限域环境中分子或官能团的质子化过程将为进一步认识酸碱理论和阐述限域环境中生物分子的基本行为提供理论依据。本文提出了一种以荷电电化学探针检测多孔氧化铝阵列纳米通道内表面官能团质子化过程的新方法。该方法利用纳米通道表面官能团的质子化过程改变了表面荷电性质,从而调控荷电电化学探针在纳米通道中的传输行为。实验中以喷涂在阵列氧化铝纳米通道膜一侧的薄金膜为工作电极,检测通过阵列纳米通道荷电电化学探针的流量,以此获得纳米通道限域条件下的质子化过程。同时以多孔氧化铝阵列纳米通道为限域空腔,利用硅烷化反应将氨基修饰在纳米通道的内表面,通过检测不同pH值条件下铁氰酸根离子在纳米通道中流量的变化,获得了纳米通道限域条件下氨基质子化滴定曲线。结果表明,纳米通道限域条件下氨基官能团发生一步质子化,其pK1/2值为5.9。本文提出的方法适用于研究纳米通道限域条件下其它官能团或生物分子的质子化过程。     

退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响

采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga₂O₃薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易使得薄膜中的氧元素逸出薄膜外形成氧空位,选取800℃退火后样品制备成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型光电探测器件,并与未退火样品器件对比发现在1.1 V的反向偏压下,800℃的光暗电流比为1021.3、响应度为0.106 A/W、比探测率为1.61×10¹² Jones,分别是未退火器件的7.5,195和38.3倍,外量子效率相较于未退火样品提升了51.6%,上升时间(0.19/0.48 s)相较于未退火样品(0.93/0.93s)减小,下降时间(0.64/0.72 s)与未退火样品(0.45/0.49 s)相比有所增大,表明氧空位的增加可以减缓光生载流子的复合来达到延长载流子寿命的效果,最后详细分析了退火后氧空位的增多导致探测器性能参数提高的机理.