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大数据、物联网和人工智能的快速发展对存储芯片、逻辑芯片和其他电子元器件的性能提出了越来越高的要求.本文介绍了HfO2基铁电薄膜的铁电性起源,通过掺杂元素改变晶体结构的对称性或引入适量的氧空位来降低相转变的能垒可以增强HfO2基薄膜的铁电性,在衬底和电极之间引入应力、减小薄膜厚度、构建纳米层结构和降低退火温度等方法也可以稳定铁电相.与钙钛矿氧化物铁电薄膜相比, HfO2基铁电薄膜具有与现有半导体工艺兼容性更强和在纳米级厚度下铁电性强等优点.铁电存储器件理论上可以达到闪存的存储密度,读写次数超过1010次,同时具有读写速度快、低操作电压和低功耗等优点.此外,还总结了HfO2基薄膜在负电容晶体管、铁电隧道结、神经形态计算和反铁电储能等方面的主要研究成果.最后,讨论了HfO2基铁电薄膜器件当前面临的挑战和未来的机遇. 相似文献
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The determination of uranium isotopic composition in trace samples is important in different fields. A new measurement method that uses an accelerator mass spectrometry (AMS) technique has been developed for the analysis of uranium isotopic ratios in ultra-trace uranium samples at the China Institute of Atomic Energy. As result, about 5-nanogram level uranium samples analyzed with AMS is achieved. 相似文献
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20世纪 80年代初期 ,扫描隧道显微技术 (ScanningTunnelingMicroscopy,以下略称为STM)问世[1] 。以后仅十余年 ,以STM为代表的扫描探针显微技术 (ScanningProbeMicroscopy,SPM)迅速发展 ,应用也已经拓展到了包括物理、化学、生物、材料等众多领域。可以预言 ,随着科学技术的不断进步 ,SPM技术将不断显示出其优越性 ,尤其在纳米科技异军突起的今天 ,越发离不开这一集观察、分析及操作原子分子等功能于一体的技术。本文我们将着重介绍SPM技术 ,特别是电化学STM技术在化… 相似文献
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