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1.
测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱,得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er
3+中
4I
13/2到
4I
15/2光跃迁在T
d晶场下的分裂.Er
3+的第一激发态
4I
13/2最低能量的两个Stark能级为Γ
8,Γ
6(能量递增),它们到基态
4关键词:
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2.
近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,[1,2]其中又由于Er3+的4I13/2—4I15/2的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012~1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.
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3.
本论文采用Marcatili方法分析矩形波导的模场特性,在此基础上计算了AWG波分复用/解复用器串扰与输入/输出波导间隙参数(d
r/
w),波导结构参数
V的变化关系.计算了串扰值一定时,选取
V参数与d
r/
w的关系曲线.分析了在不同折射率差波导中,串扰与偏振的相关性,为器件的整体优化设计提供了参考数据.
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4.
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲径对器件偏振特性的影响,得出结论:小折射率差的正方形波导的双折射系数小;内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。
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