碳纳米管的近边吸收谱研究

用X射线近边吸收谱研究了单壁, 双壁和多壁碳纳米管在超高真空系统中不同温度下退火处理后的行为.碳的K边吸收谱表明, 多壁管上吸附的杂质将在热处理过程中最先被去除, 其次是双壁管, 最后是单壁管.这种热处理下杂质去除的顺序说明了曲率越小杂质吸附得越牢靠, 即越容易吸附杂质.另外, 结果中显示, 经退火处理后3种碳纳米管在多重散射区域的峰结构呈现规律性的移动,由单壁管到多壁管, 谱峰向低能方向移动; 这是由于碳纳米管的层数不同造成的, 证明这部分谱峰结构直接受到碳纳米管层数的调制, 有利于鉴别3种碳纳米管.     

基于同伦分析方法的一种改进的试位法

应用同伦分析方法,提出了一种求解非线性方程改进的试位法．给出的一些数值例证显示了该运算法则的有效性．     

竖板表面温度的变化对磁流体动力学流动的影响

在横向磁场作用下,不可压缩的粘性导电流体,流经一个半无限的竖板,完成了壁面温度变化对磁流体动力学流动的分析.假定由粘性耗散和感应磁场产生的热量可以忽略不计.无量纲的控制方程为二维非稳态耦合的非线性方程.结果显示,磁场参数对空气和水的速度有着抑制作用.     

植物毒素茄格孢吡喃酮A的研究

致病真菌Ascochyta rabiei感染鹰嘴豆植物体产生三种植物毒索．茄格孢毗喃酮A．茄格孢毗喃酮B和茄格孢毗喃酮C．其中茄格孢毗喃酮A的毒性最大．往往在感染的植物体中表现出植物体变黄．植物茎部变脆．易折断等病理现象。严重时导致整个植物体因枯萎病而死亡．体外培养Ascochyta rabiei研究已知．该致病菌产生一些叫做茄格孢毗喃酮的植物毒索．当用分离提纯的茄格孢毗喃酮A毒素喂养植物体时虽然出现了与病菌感染植物体完全一样的病理现象．但研究者均不能从感染植物体或者体外喂养毒索的植物体中重新分离到该毒索。很可能这种毒索通过某种机制被鹰嘴豆植物细胞代谢转换成另外一种物质．为了研究这一过程，我们提取鹰嘴豆植物的蛋白质提取物(30％-70％硫氨饱和沉淀法)于实验室条件下分离提取并用HPLC方法鉴定植物毒索茄格孢毗喃酮A反应．不管还原物质NADPH存在或者不存在．发现植物毒素茄格孢吡喃酮A消失．即使在鹰嘴豆蛋白制备物加热沸腾处理后与毒索的反应中也出现植物毒素茄格孢毗喃酮A的大量丢失．说明蛋白质制备物很可能不是酶．HPLC(高压液相色谱)检测反应产物时出现了一个新物质．NMR(核磁共振)确定该物质为脱甲基的茄格孢毗喃酮A．进一步的研究得知．该脱甲基的茄格孢毗喃酮A不是鹰嘴豆植物蛋白质提取物的作用下产生的．而是分离蛋白质用的硫氨作用于该植物毒素产生的．用透析方法除掉硫氨后的鹰嘴豆植物蛋白质制备物与该毒素反应时．脱甲基茄格孢吡喃酮A不再出现．但仍有茄格孢吡喃酮A植物毒素的丢失．最后发现，分离提纯蛋白质制备物所用的离子交换柱(FPLC)试剂Tris-HCI和NaCl也会导致茄格孢吡喃酮A植物毒素的丢失．与一些非特异性蛋白质化学物反应时．茄格孢吡喃酮A植物毒索还是存在大量的丢失．所有这些研究结果显示．这一种植物毒素茄格孢吡喃酮A似乎具有较高的反应活性．很可能与植物体中的一些物质结合或者局部反应．正因为是这一原因不能从感染植物体或者体外喂养毒素的植物体中重新分离到该毒素，而感染植物或体外喂养毒素的植物仍然表现出明显的病理现象．植物毒素茄格孢吡喃酮A的这种易反应特性．可能就是它对植物体具有较强毒性的原因之一．     

Barrier Formation on a YBa2Cu3Oy Thin Film Using CF4 Plasma Fluorination

We investigate the surface structure and composition of a YBa2Cu3Oy (YCO) thin film odified by CF4 plasma fluorination.In addition to the absorption of hydrocarbons,chemical reactions of the YBCO surface take place during CF4 plasma treatment.Various x-ray photoelectron spectroscopic data are reported and discussed.The existence of a thin barrier is confirmed,which homogeneously covers the edge of the base YBCO film in our interface engineering Josephson junction.Measurements of Auger electron spectroscopic data and the resistance versus temperature indicate that the barrier is a controllable-insulating layer.     

Calculation of plasma characteristics of the sun

The ionization level and free electron density of most abundant elements (C, N, O, Mg, Al, Si, S, and Fe) in the sun are calculated from the centre of the sun to the surface of the photosphere. The model and computations are made under the assumption of local thermodynamic equilibrium (LTE). The Saha equation has been used to calculate the ionization level of elements and the electron density. Temperature values for calculations along the solar radius are taken from references.