| 碳纳米管的近边吸收谱研究 |
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| 引用本文： | 钟俊,刘畅,吴自玉,阿巴斯·买买提明,奎热西.易卜拉欣,成会明,高斌,刘蕾.碳纳米管的近边吸收谱研究[J].中国物理 C,2005,29(Z1):97-101. |
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| 作者姓名： | 钟俊 刘畅 吴自玉 阿巴斯·买买提明 奎热西.易卜拉欣 成会明 高斌 刘蕾 |
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| 作者单位： | 1 中国科学院高能物理研究所 北京 100049;2 中国科学院研究生院 北京 100864;3 沈阳材料科学国家联合实验室 中国科学院金属所 沈阳 110015;4 国家纳米中心 北京 100080 |
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| 摘 要： | 用X射线近边吸收谱研究了单壁, 双壁和多壁碳纳米管在超高真空系统中不同温度下退火处理后的行为.碳的K边吸收谱表明, 多壁管上吸附的杂质将在热处理过程中最先被去除, 其次是双壁管, 最后是单壁管.这种热处理下杂质去除的顺序说明了曲率越小杂质吸附得越牢靠, 即越容易吸附杂质.另外, 结果中显示, 经退火处理后3种碳纳米管在多重散射区域的峰结构呈现规律性的移动,由单壁管到多壁管, 谱峰向低能方向移动; 这是由于碳纳米管的层数不同造成的, 证明这部分谱峰结构直接受到碳纳米管层数的调制, 有利于鉴别3种碳纳米管.
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| 关 键 词： | 碳纳米管 X射线近边吸收谱 热处理 |
| 收稿时间： | 2005-10-31 |
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