高压增氧T′相铜氧化合物Eu_2CuO_(4+δ)低温反常磁性的研究

本文系统地研究了高氧压下合成的Ｔ′相铜氧化合物Ｅｕ２ＣｕＯ４＋δ样品的结构及磁性，发现了一个由氧掺杂引起位于２８Ｋ具有弱铁磁性特征的磁化率反常．我们的结果表明氧掺杂导致的弱铁磁性不能按稀土离子的尺度效应来解释，而可能是氧掺杂在ＣｕＯ２面形成的空穴非均匀聚集导致的局域畸变产生．本文还对Ｔ′相超导体的一些超导特性作了解释．     

Y-Ba-Cu-O系中的高温电阻跳变

当前,关于Y-Ba-Cu-O氧化物超导体超导转变的研究,人们的主要注意力集中在零电阻为90K左右的超导相上,并指出相应的超导相为赝四方结构化合物,但除上述90K左右的超导相外,尚发现有其他超导转变。因此,是否存在更高转变温度的超导相仍是值得探索的问题。本文报道作者在Y-Ba-Cu-O系中发现高温电阻突变的现象。     

高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

用直流吸气溅射法获得了Tc1)起始等于23K的Nb-Ge膜.对样品进行了分析,初步总结了高Tc-A15Nb3Ge的成相规律,对与Tc密切相关的因素进行了讨论. 引 言 很多A15型化合物具有超导电性且其超导转变温度Tc很高.1973年,Gavaler首次用直流低电压,高Ar气压力溅射法获得Tc起始温度为 22K的     

高压高温处理对A15Nb_3(Al,Ge)结构成分及其超导性能的影响

在0—67kbar压力范围,对名义成分为Nb_3(Al_(1-x)Ge_x)的合金(x=0.20,O.23,0.25;含有Al5 σ相)进行了热处理。X射线分析表明:1)随着压力的升高,Al5相的晶胞参数a_0出现极大值;2)与Al5相结构成分密切相关的衍射峰(211),(210)的相对累积强度I~(211)/I~(210)随压力的变化与a_0的变化类似;3)Al5相结构成分随压力向着富Nb的方向移动。低温测试结果表明:随着压力的升高,试样的超导转变温度降低,转变宽度出现极大值。     

吸气溅射装置

我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb_3Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K.     

渗碳玻璃电阻温度计(CGRT)磁阻的计算

本文给出一组经验公式,非常成功的计算了CGRT的磁阻。在温度范围从4.2至306K,磁场强度从0至19T,磁阻计算的误差小于0.5％,磁阻计算误差造成的温度误差小于0.2％。在磁汤强度从0至8T,温度差小于0.1％。     

强磁场下的温度控制与测量

ＳｒＴｉＯ４电容基本上不受磁场影响，但是它的灵敏度和使用温区有限，更大的缺点是测量时必须等半个多小时才能稳定，给实验带来不便．渗碳玻璃电阻温度计（ＣＧＲＴ）受磁场的影响比较小，其磁阻值可以精确计算．本文介绍了用在磁场中测量到的ＣＧＲＴ的电阻值，计算出磁阻造成温度误差，从而得到温度的精确值．为了使用方便，本文给出了磁阻造成温度误差的修正表，从而较方便地基本上消除了磁场造成的误差．在温度为４．２－８８Ｋ，磁场为０－１９Ｔ时，磁场造成误差小于０．ｌ％；在８８－３０６Ｋ，０－１９Ｔ时，误差小于０．２％．本文还介绍了用ＣＧＲＴ在强磁场中精确控温的方法．     

稳定的Sr-La-Cu-O化合物在流体静压下的超导电性

在0-17kbar范围内,研究了稳定的Sr-La-Cu-O 化合物的超导临界温度与压力的关系,超导起始转变温度T_(co)由37.0K增加到今5.0K(14 kbar)。     

不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究

本工作研究了仅改变基片温度而其它条件不变的溅射Nb_3Ge膜的性能.通过对样品的Tc、H_(c2)(T)、R(T)的测量,给出在一定条件下基片温度与溅射Nb_3Ge膜的Tc及H_(C2)(0)的关系.发现:存在一生成高Tc、高H_(c2)(0) Nb_3Ge薄膜的最佳温区(800—810℃);△Tc随磁场增加而展宽;溅射Nb_3Ge膜的电阻率ρ(T)在Tc(?)T<65K温区中服从:ρ(T)=α bT~2规律,且与基片温度无关.