利用电泳技术在不锈钢和铁基底上制备MgB2带材

本文首次报道了利用电泳技术在铁和不锈钢基底上制备MgB2超导带材.电阻测量表明,沉积在铁和不锈钢基底上MgB2带材的超导零电阻转变温度分别为37.5K和31K,超导转变宽度分别为0.3K和1K.磁测量表明,(5K,OT)时不锈钢基底上带材的临界电流密度为6×105(A/cm2).X射线衍射谱和扫描电子显微镜图象表明样品结晶良好,晶粒生长致密.本工艺制备MgB2带材时不受系统真空度的限制,生长迅速,成本低廉,并且可以根据不同的需要任意选择基底的形状和大小.     

Ce_3Rh_3Si_2和CeRh_3Si_2的磁性模拟和晶场效应研究

根据晶场理论,通过对D.Kaczorowski等人测量的磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2的晶场分裂能和相应波函数.对于CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2,它们的第一激发能和总的激发能分别为176K,855K和77.5K,428K.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了三个双重态,模拟得到的化合物的磁化率倒数与温度关系曲线与实验曲线吻合较好.     

激光辐照对MgB_2超导体电子结构的影响

研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。     

镧系超导体1／8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4（LMCO，M=Sr，Ba，x=0．05，0．10，0．125，0．15，0．2）体系的室温正电子寿命谱，研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系．实验结果表明在x=1／8附近电子密度（ne）出现峰值响应，说明在掺杂浓度不断增加的过程中，当x〈1／8时，正电子-空穴反关联起决定性的作用．而在x〉1／8时，化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因．     

MgB_2带材的超导电性与制备温度的关系

报导了利用电泳技术在不锈钢基底上制备 Mg B2 超导带材。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、电测量和磁测量技术 ,分别研究了后退火温度对带材表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响。结果表明 ,随着后退火温度的升高 ,Mg B2 带材的结晶情况逐渐变好 ,超导转变温度升高、转变宽度变窄。 90 0℃下制备的带材的临界电流密度为 6× 10 5A/ cm2 (5 K,0 T)。     

LaBaCuO系超导体1/8反常现象及正电子寿命谱的研究

我们在室温下对La2-xBaxCuO4(x=0.05,0.1,0.125,0.15,0.2)超导系列样品的正电子寿命谱(PAT)进行了测量,分析了正电子湮没机制与超导转变温度之间的关联,并从电子密度转移方面对La2-xBaxCuO4超导样品的转变温度被抑制的原因进行了解释.     

化合物La3Co的超导电性与磁场的关系研究

我们报告稀土化合物La3Co的单晶样品在不同的磁场中的电阻率随温度变化的测量结果，从而得出该材料的超导转变温度随磁场的变化关系，超导转变温度随磁场的增大而降低．我们认为这是由于磁场的加大使电子间的相互作用增强，同时减弱了材料中的有效电子（3d、4f）的转移作用．     

镧系超导体1/8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.     

化合物La3Co的超导电性与磁场的关系研究

我们报告稀土化合物La3Co的单晶样品在不同的磁场中的电阻率随温度变化的测量结果,从而得出该材料的超导转变温度随磁场的变化关系,超导转变温度随磁场的增大而降低.我们认为这是由于磁场的加大使电子间的相互作用增强,同时减弱了材料中的有效电子(3d、4f)的转移作用.