自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术,以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果.实验发现,自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns,与InAs层厚度关系不大;激子寿命与温度有一定的关系,但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关;用粒子数混合技术,实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程. 关键词：     

多壁碳纳米管的拉曼散射

本文报导了用直流碳弧放电方法制备的多层碳纳米管的拉曼光谱。和ＨＯＰＧ相比,由于碳纳米管的量子尺寸效应和碳纳米管直径的分布,在纯化和未纯化的碳纳米管中均存在Ｅ２ｇ模的软化,其红移范围分布在２～１３ｃｍ １范围内。     

六方碳化硅中的深能级缺陷

文章作者利用深能级瞬态谱(DLTS)，正电子湮灭谱(PAS)和光致荧光谱(PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷、这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照，或氦离子注入等产生．经过研究和分析各种实验测试的相关图谱，作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据．     

自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展

文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验，介绍在自旋一轨道耦合的体系中，如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流，又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化．实验结果表明，自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段，而且还给我们提供了用非磁性材料且无外加磁场条件下作为自旋源的新途径．     

量子阱的光学性质

随着分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相沉积(MOCVD)超薄层外延生长技术的发展,半导体超晶格和量子阱结构的研究工作已引起人们极大的兴趣[1-3].这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观察量子尺寸效应     

多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应

在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_avg,实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。     

量子阱光学过程的瞬态特性

当量子阱材料注入(例如光注入)大量非平衡载流子时,非平衡载流子的动力学过程可分为两个过程:一是高激发过剩非平衡载流子的快速弛豫过程,即热载流子通过发射纵向光学声子(LO声子)与晶格交换能量、释放能量.描述这个过程的主要物理量是LO声子的散射时间常数,其时间域大约为几个ps到几十个ps,取决于激发强度、量子阱宽度等.另一个过程是弛豫到导带底(价带顶)的载流子通过辐射复合放出光子,即辐射复合发光.描述这个过程的主要物理量是发光寿命。 一、量子阱中辐射复合发光 动力学过程研究 在量子阱结构中,载流子复合发光动力学过程和体材料…     

GaAs-GaAlAs多量子阱结构中热载流子弛豫过程

将微微秒非线性光学相关技术发展成一种新的微微秒时间分辨光谱技术,并用它研究了GaAs-GaAlAs多量子阶结构中非平衡载流子的弛豫过程,讨论了非平衡电子系统能量损耗的机理,给出了电子-声子散射的时间常数。 关键词：     

n型砷化镓深能级发光的动力学分析

本文从实验上研究了n型砷化镓中深能级有关的阴极射线致发光的温度猝灭与激发强度的关系以及阴极射线致发光的瞬态特性。采用两种样品;在n型GaAs衬底上用MOCVD外延的n型GaAs（掺S）的样品和在此基础上800℃扩入放射性Cr51的样品。用SI阴极光电倍增管接收阴极射线致发光,利用光子计数和延迟符合技术进行测量。以单能级和双能级两种模型分别计算了发光的稳态强度和衰减动力学过程。