石英亚沸蒸馏器蒸馏浓缩富集FAAS法同时测定自来水中的铅和镉

把分析测试工作中常用来制备高纯水的石英亚沸蒸馏器用于浓缩富集自来水中的铅、镉,并用火焰原子吸收光谱法对铅、镉进行测定.     

Δ—scaling and Information Entropy in Ultra—Relativistic Nucleus—Nucleus Collisions

The Δ-scaling method has been applied to ultra-relativistic p p,C C and Pb Pb collision data simulated using a high-energy Monte Carlo package,LUCIAE 3.0.The Δ-scaling is found to be valid for some physical variables,such as charged particle multiplicity,strange particle multiplicity and number of binary nucleon-nucleon-nucleon collisions from these simulated nucleus-nucleus collisions over an extended energy ranging from E1ab=20 to 200A GeV.In addition we derive the information entropy from the multiplicity distribution as a function of beam energy for these collisions.     

高能核碰撞中带电多重数快度与能量和中心度的关系

用强子–弦级联模型JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器研究相对论性核–核碰撞中带电粒子多重数的赝快度密度对能量和中心度的依赖关系.无需另调任何模型参数的条件下,此模型可以同时较好地描述相对论性pp实验数据及PHOBOS和PHENIX实验组的Au+Au实验数据.本文指出:因〈N_part〉并非严格定义的物理量,致使实验上和理论上确定〈N_part〉有一定任意性,从而使得每参加者核子对的带电粒子赝快度密度随着〈N_part〉的增加可能逐渐增大,也可能逐渐减小,因此用它来区分粒子产生机制是欠妥的.     

SHS等离子喷涂制备FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合涂层的研究

利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍.     

基于半导体光放大器进行光标签提取的性能分析

利用半导体光放大器增益饱和数学模型，第一次分析了基于单个半导体放大器进行光标签提取的节点性能.通过对半导体光放大器的参量分析和优化，仿真显示，对于标签速率2.5 Gb/ s 、净荷速率40 Gb/s 的光分组包，提取的标签消光比可达到13 dB.     

AGS能量下π~－π~－的Bose—Einstein关联

全同粒子间的玻色－爱因斯坦关联可以用来研究相对论性核碰撞中次级粒子源分布及有关的物理问题．本文用强子级联模型（ＨＣＭ）模拟２８Ｓｉ（１４．６ＡＧＣＶ／ｃ）＋Ａｕ反应，得到π－粒子的ｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ状态，进而计算了π－π－关联函数，取得与实验一致的结果．还计算了ｆｒｅｅｚｅ—ｏｕｔπ－源的均方根线度，并讨论了它与拟合方法抽取的源参数间的关系．     

热核破碎中的矩关联和临界现象

本文用蒙特卡罗方法,根据核素表和质量及电荷守恒律,产生热核Au*破碎的各种碎块组态,再对碎块电荷分布作条件矩分析.理论结果很好地再现了电荷分布实验数据中呈现的条件矩间的对数关联;但理论关联行为的导出与临界现象似乎没有联系.     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.