激光诱导直接化学光刻

本文利用Ar~+激光倍频257.3nm进行扫描蚀刻Si、GaAs和Zn片,获得的最小光刻线宽为1.2μm,给出蚀刻深度与光强/扫描速度的关系曲线等参量,首次利用光刻技术估计卤素自由基的扩散系数、自由路程以及激光聚焦光斑大小,以及观察到阈值现象。     

激光诱导固体表面化学过程的若干研究

本文采用氩激光倍频及准分子激光,对金属膜层的沉积、化合物膜层沉积、光诱导化学光刻以及激光化学诱导掺杂等固体表面化学过程作了实验研究,并对其中一些过程的机理作了探讨.     

XeCl准分子激光引发香芹酮的化学反应

本文报道了用XeCl准分子激光引发香芹酮(1)化学反应的研究结果.根据反应产物香芹酮樟脑(2)和1-挂,5-二甲基-顺2-[(乙氧羰基)甲基]双环[2.1.1]己烷(3)与激光照射能量的关系,得出香芹酮的1→2→3的反应过程.实验表明,在低激光强度照射时,每照射1焦耳能量生成2和3的量随着激光强度的增加而增加,并显示出饱和趋势.同时在照射过程中观察到浓度效应和发光.     

关于叠代法求单摆周期

赵炳林同志关于单摆周期的结论[1]是正确的.周凌云同志使用重正化方法消除[1]文(7)式的secularterm,得出与[1]文(8)式完全一致的结果[2].这种消除secular term的方法显然更合理.本文拟就[1]文(7)、(8)式提出一点异议,与两位同志商榷. [1]文(4′)式的一次迭代近似解,应是其零次迭代与[1]文(5)式的通解之和.(5)式的余函数为特解为通解为式中的B和a为积分常数.[1]文显然是如下的初值问题将(1)式代入(3)式,不难求得代与(1)式,则所以[1]文(4′)式的一次迭代近似解应为应用重正化方法从(4)式消除secular term。并恢复原有的时间标度,得我认为[l]…     

大面积激光化学沉积的WO_3膜层的特性

本文报道了首次用XeCl准分子激光器大面积地沉积WO_3膜层,膜层面积为1cm~2,沉积速率为41A/pulse,并测量了膜层的组分,电阻率等特性。