滤片-XRD探测系统响应时间测量

 研究了软X射线能谱仪探测道系统(系统包括X射线二极管（XRD）、SUJ-50-10电缆和不同频带示波器)的响应时间。实验利用上海激光联合实验室的20TW激光器激光(激光能量约20J，脉冲宽度约1ps)打金箔靶产生的X光，用XRD探测系统测量，记录示波器有TK684C，TK694C和WM8500等。将实验数据进行了线性拟合和比对分析。滤片XRD探测系统的响应时间随偏压升高而加快，随传输电缆长度的增加而变慢，因此测量快信号过程时，应提高探测器偏压，缩短传输电缆，选择宽频带高采样率示波器，以便减少系统的响应时间，减小信号失真程度。     

神光Ⅱ上柱形黑腔辐射驱动冲击波

利用神光Ⅱ的八路三倍频激光装置，驱动柱形黑腔产生的x 射线作辐射源驱动台阶铝样品产生冲击波，获得了清晰的冲击波图像，通过冲击波过台阶样 品的时间差获得冲击波速度和压力分别为31.2km/s和17.5×10⁵MPa.采用软x射线能谱 仪通过激光注入孔测量的辐射温度与采用冲击波法测量辐射温度的结果一致. 关键词： 冲击波 辐射驱动 辐射温度     

X光能谱与能量精密测量系统与线谱诊断

新型XRD不论是响应特性，还是外形体积，都必须满足谱仪小型化的要求。其次，需考虑色散元件，谱仪仍采取滤波法。由于三倍频打靶M带辐射强度大幅度提高，高能尾部对输出信号的贡献很大，所有探测道都必须抑制高能尾部，用掠入射平面镜截止的能量就更高。用平面镜截止高能X射线的途径：一是平面镜使用高原子序数材料，二是减小掠射角。     

高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道分析

对高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道进行了分析．推导出轴向导引磁场与反向传播的激光摇摆场作用下的单粒子电子运动轨道，并对轨道的稳定性进行了分析．发现当瑞利长度较大时，得到的结果与平面电磁波摇摆场的结果相一致．与静磁摇摆场的自由电子激光相似，在激光摇摆场中的电子轨道也存在两类分立轨道，但是，与静磁摇摆场不同的是，这两类轨道都是稳定的 关键词：     

合l，4—萘基结构的聚芳醚酮的合成与表征

以无水A1Cl3为催化剂，N-甲基毗咯烷酮为助剂，ClCH2CH2Cl为溶剂，将一种含萘环的新芳醚单体——4，4’-二(α-萘氧基)二苯酮(DNBP)分别与对苯二甲配氯、间苯二甲配氯、2，5-二氯对苯二甲配氯等芳二酰氯通过低温溶液亲电共缩聚反应合成了6种主链含1，4-萘基结构的新型聚芳醚酮醚酮酮无规共聚物。考察了溶剂体系、反应温度、反应时间、单体摩尔浓度等聚合反应条件对聚合物分子量的影响，并用对数比浓粘度(ηnl3)，IR，DSC，TG和WAXD等方法对其进行了分析表征。结果表明：它们均为非晶态聚合物，有较高的玻璃化温度和优良的耐热性，可溶于一些强权性非质子溶剂中。并以CHCl3为溶剂，甲酵和正已烷为沉降剂用浊度滴定法测定了上述6种聚合物的溶度参数(δ)。     

改性退役绝缘子橡胶粉在绝缘子中的再利用

提供了一种应用改性退役绝缘子橡胶粉末掺杂硅橡胶方法,在不影响材料性能的情况下不仅可降低聚合物绝缘子的成本,还达到了高分子材料回收利用的可持续发展.     

神光Ⅲ主机双束组激光间接驱动内爆实验研究

在神光Ⅲ主机装置上,利用已经建成的两个激光束组,开展了激光间接驱动内爆物理磨合实验,是神光Ⅲ主机装置首次出中子实验。实验采用1400μm×2100μm黑腔,500μm的塑料靶丸充1 MPa的DD燃料,激光从黑腔两端55°注入。实验获得的最高中子产额为9.7×108。实验结果表明,实验黑腔的耦合效率约为50%;使用的黑腔偏长,靶丸被压缩为"薄饼形";中子产额和激光能量正相关;中子发射峰值时刻主要依赖于烧蚀层厚度。     

激光打靶过程中的电磁脉冲特性

为诊断激光打靶产生的电磁脉冲信号分布,选取环天线作为主要电磁脉冲信号采集装置,对靶室内外信号同时进行测试。从天线设计制作到天线标定,描述了脉冲诊断系统的搭建。通过对信号进行采集及处理,对比分析了靶室外、法兰口及靶室内脉冲信号的频域特性和强度。得出靶室内受到电磁脉冲辐射强度最大且频谱分布最广,其次是法兰口,靶室外电磁脉冲信号最弱。总结多次激光打靶电磁脉冲信号频域分布,可看出波峰主要出现在0.5,1.2,3GHz。电磁脉冲时域结果规律性展示出脉冲持续约100ns,因靶室内回波振荡,电磁脉冲信号于几ns处及几十ns处有较明显峰值蔟。     

激光间接驱动惯性约束聚变内爆物理实验研究

激光间接驱动惯性约束聚变利用辐射烧蚀驱动靶丸球形内爆,在减速阶段将内爆动能转化成热斑内能,同时压缩燃料,达到点火条件,实现聚变点火。根据目前认识,影响内爆压缩过程的主要因素包括内爆对称性、燃料熵增因子、内爆速度和混合。内爆物理实验研究的目的是发展对上述影响因素的实验表征方法,获取这些影响因素随靶设计参数的变化规律,建立相应的实验调控能力,最终达到不断提升内爆性能的目的。为此,在内爆对称性方面,开展了Bi球自发光实验,用于研究点火脉冲前2ns驱动不对称性;在内爆速度方面,开展了球面弯晶单能流线实验,测量得到内爆速度和剩余质量随时间的变化;在混合方面,开展了内壳层示踪涂层内爆混合实验,测量得到环形发光图像。为考察综合内爆性能,在神光Ⅱ和神光Ⅲ原型装置上开展了DT内爆实验,获得了中子产额随初始靶参数的变化规律。     

变色薄膜的紫外线辐照响应研究

 制备了含多芳氨基甲烷类化合物的高分子变色薄膜，经紫外线辐照后，这种薄膜随吸收剂量的不同由无色透明逐渐变为绿色，在可见光区主要吸收峰位于626 nm附近，光密度响应与辐照时间近似成线性关系。研究表明：该辐射变色薄膜变色响应随紫外线能量密度增加而增加；分次辐照能略微提高光密度响应；辐射变色薄膜响应受温度和湿度影响较大，在20～50 ℃温度范围、40%～60%相对湿度范围，响应基本稳定；卤代物添加剂可以大大提高辐射变色薄膜的响应灵敏度；受后辐照效应影响，辐照结束最初2 h内响应迅速增加，2 h后响应才基本稳定。