InP在两种化学腐蚀系统中的腐蚀特性

本文研究了各种浓度的Br2:CH3OH和Br2:HBr:H2O两种腐蚀系统分别对用负性KPP和正性AZ1350J光致光刻胶直接掩蔽[001]InP的腐蚀特性。分别给出了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀深度与时间的关系曲线。同时从结晶学角度定性解释了腐蚀速率与溴浓度,腐蚀方向与腐蚀图形的依赖关系。     

GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

内量子效率和微分外量子效率是半导体激光器的主要物理参数。H. S. Sommer(1978)曾提出一新的测量方法。