化学气相沉积法制备氧化锡自组装纳米结构

采用化学气相沉积法在镀有5-10 nm厚金膜的SiO2衬底上, 通过控制生长条件, 实现了二氧化锡纳米结构的自组装生长, 成功制备出了莲花状和菊花状的二氧化锡自组装纳米结构. 利用扫描电子显微镜、X射线衍射等表征分析手段对样品的表面形貌、结构及成份进行表征和研究. 并在此基础上, 讨论了两种自组装纳米结构的生长机制.     

化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.     

化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

以Sn和SnO为源材料，化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件，实现了SnO₂一维纳米结构的控制生长，成功获得各种不同横向尺度的SnO₂纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征，认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO₂一维纳米结构生长的关键因素；并在此基础上对SnO₂一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.