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1.
晁月盛  郭红  高翔宇  罗丽平  朱涵娴 《物理学报》2011,60(1):17504-017504
对熔体急冷法制备的Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶合金进行了200,300,400和500 ℃保温30 min的退火处理,用正电子湮没寿命谱、X射线衍射、穆斯堡尔谱等方法研究了退火后试样的结构及结构缺陷变化.结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在非晶基体相空位尺寸的自由体积中湮没,湮没寿命τ1为158.4 ps,强度I1关键词: 43Co43Hf7B6Cu1非晶')" href="#">Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶 退火处理 正电子湮没寿命 结构与结构缺陷  相似文献   
2.
非晶合金Fe78Si9B13在脉冲电流作用下的单相晶化   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
对非晶合金Fe78Si9B13进行了超短脉冲电流处理,实现了晶化时α-Fe(Si)单相结构析出.可以认为,脉冲电流作用时,电子运动与非晶中空位型结构缺陷间的周期性排斥效应促进了类金属原子从非晶结构单元中析出,使Fe(Si)原子局部富集,导致基体金属相在较低温度下优先成核.而在空位的定向迁移的同时,将伴随B原子的扩散,则B原子局域富集,Fe-B化合物的形核析出就要受到这两个因素的抑制 关键词:  相似文献   
3.
连续超短电脉冲促进非晶晶化的物理机理   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
晁月盛  肖素红 《物理学报》1998,47(12):2012-2017
对非晶Fe78Si9B13合金进行了连续高密度超短脉冲电流处理.处理时采取两种制度:1.脉冲频率和作用时间不变,电流密度不断增加;2.电流密度和作用时间恒定,脉冲频率不断增加.用穆斯堡尔谱学等技术研究试样在电脉冲处理后的晶化结构.结果表明,随电流密度、脉冲频率不断增加,非晶的晶化形核率显著增加. 关键词:  相似文献   
4.
铁基非晶的低频脉冲磁场处理效应   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
晁月盛  李明扬  耿岩  刘吉刚 《物理学报》2004,53(10):3453-3456
对非晶合金Fe78 Si9 B13进行了低频脉冲磁场处理,用穆斯堡尔谱学、透射电 镜等方法观察处理试样的微观结构变化.研究发现,当脉冲频率20—25Hz,磁场16—32kA/m,作用时间≤2min,合金发生了纳米晶化,纳米相岐睩e(Si)晶粒尺寸为10nm. 而且,在低频脉冲磁场处理过程中,非晶试样的温升≤20℃. 关键词: 非晶态合金 脉冲磁场处理 纳米晶化  相似文献   
5.
实现了基于低场0.35 T磁共振成像系统的大脑功能磁共振成像(functional Magnetic Resonance Imaging,fMRI)的研究. 基于质子密度加权的快速自旋回波(Turbo Spin Echo,TSE)图像,重点研究增强低场fMRI显著性的方法,目的在于提高低场fMRI的可用性. 结果表明:健康受试者在执行手动任务期间,大脑运动区的信号强度变化可以由基于血管外质子信号增强 (Signal Enhancement by Extravascular water Protons,EEP)的对比机制探测. 优化TSE序列参数能提高图像SNR和扫描速度,并在统计分析中增加外在屏蔽图像,可以有效地提高低场下fMRI研究结果的显著性.  相似文献   
6.
7.
张艳辉  李彦龙  谷月  晁月盛 《物理学报》2012,61(16):167502-167502
对熔体急冷法制备的非晶合金 Fe52Co34Hf7B6Cu1 进行了不同频率的中频磁脉冲处理, 用透射电子显微镜、穆斯堡尔谱、正电子湮没寿命谱等方法研究了处 理前后试样的微观结构及结构缺陷变化. 结果表明,经中频磁脉冲处理后,样品发生了部分纳米晶化, 晶化量随磁脉冲频率增加而增加, 当磁脉冲频率为2000 Hz时, 晶化量达33.1%; 在淬态非晶样品中, 正电子在类单空位中的湮没寿命τ1为150.5 ps, 强度 I1为77.7%, 在微孔洞中的湮没寿命τ2为349.7 ps,强度I2为22.3%; 随磁脉冲频率的增加, τ1, τ2值呈现减小的变化趋势, 与淬态非晶相比, I1有所增加, I2下降, τ1, τ2的平均值τ大幅降低.  相似文献   
8.
对非晶Fe78Si9B13合金进行了连续超短脉冲电流处理,测量了处理后试样的综合软磁性能.实验证明,当基体金属相αFe(Si)析出量为3%左右,αFe(Si)颗粒大小约为33nm时,可以获得较好的软磁性能.如最大磁导率提高、矫顽力明显降低.利用随机各向异性模型讨论了连续超短脉冲电流处理改善非晶Fe78Si9B13合金软磁性能的机理  相似文献   
9.
对非晶合金Fe78Si9B13进行了超短脉冲电流处理,实现了晶化时αFe(Si)单相结构析出.可以认为,脉冲电流作用时,电子运动与非晶中空位型结构缺陷间的周期性排斥效应促进了类金属原子从非晶结构单元中析出,使Fe(Si)原子局部富集,导致基体金属相在较低温度下优先成核.而在空位的定向迁移的同时,将伴随B原子的扩散,则B原子局域富集,FeB化合物的形核析出就要受到这两个因素的抑制  相似文献   
10.
刘学东  朱洁  晁月盛  姜健  王景唐 《物理学报》1993,42(8):1272-1277
利用非晶晶化法制备了(Fe0.99Cu0.01)78Si9B13纳米晶合金。发现其显微硬度Hv与晶粒尺寸d之间基本服从Hall-Petch关系。利用M?ssbauer谱研究了晶粒尺寸为30nm的材料中类金属原子的分布及其对晶化相电子结构的影响。 关键词:  相似文献   
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