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为解决激光应用中的光束指向抖动问题,提出一种基于高斯过程回归(Gaussian process regression)的激光光束指向稳定性优化方案。介绍了激光光束指向稳定系统装置构成及原理,论述了高斯过程回归方法的原理及其作为激光光束快速稳定控制算法的优势。经过该方法优化后,指向抖动达到水平方向2.3μrad,竖直方向3.3μrad,将激光系统指向稳定性提高了1个数量级以上。指向性抖动为已有线性反馈系统的20%,尤其对于高频噪声优化有显著效果。该研究对于激光光束指向性敏感的精密实验和精密加工具有重要意义。 相似文献
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在超声速吸气式混合层风洞中,采用基于纳米粒子的平面激光散射(NPLS)技术对平板混合层和三角波瓣混合器诱导的混合层流场精细结构进行了对比实验研究.上下两层来流的实测马赫数分别为1.98和2.84,对流马赫数为0.2.NPLS图像清晰地展示了Kelvin-Helmholtz涡、流向涡、波系结构以及大尺度涡结构的配对合并过程.通过对比分析时间相关的NPLS流场图像,发现了大尺度拟序结构随时间发展演化的非定常特性.基于流动显示结果,采用分形维数和间歇因子指标对流场结构和混合特性进行了定量分析.实验研究表明,三角波瓣混合器诱导的流向涡结构显著提高了上下两层来流的掺混效率,其流动远场的分形维数突破了平板混合层中完全湍流区的分形维数值,达到了1.88,流场结构表现出明显的破碎性,有利于流动在标量层面的扩散和掺混.流动间歇性分析表明,流向涡与展向涡的相互剪切作用主导着混合层的掺混特性,同时由于流向涡的卷吸作用,三角波瓣混合器诱导的混合层混合区域更大,更多的流质被卷入混合区完成混合. 相似文献
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通过直接数值求解Navier-Stokes方程,研究了入流激励下可压缩剪切层中Kelvin-Helmholtz(KH)涡结构的响应特性,结果清晰地展示了KH涡的独特演化方式.基于流动可视化数据,采用两点相关性分析获得了流场拟序结构的空间尺寸和结构角分布.通过分析不同激励频率下涡结构的动态特性,揭示了入流激励下可压缩剪切层中KH涡结构的独特演化机理.研究结果表明,低频入流激励(f=5 k Hz)下KH涡尺寸在远场区域达到饱和后呈现锁频状态,KH涡量厚度稳定在12-14 mm之间;与自由剪切层涡结构通过配对合并的方式实现生长的机理不同,低频入流激励下剪切层的发展是通过中间涡核顺时针吞噬KH不稳定波诱导的一串外围小涡结构来实现生长.此外,针对高频激励(f=20 k Hz)下的剪切层流动,研究了涡结构特性和入流激励参数之间的定量关系,发现均匀分布涡结构的尺寸近似等于对流速度与入流激励频率之比. 相似文献
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通过超滤手段将腐殖酸溶液分离成分子量为10K、10K-30K、30K-100K和100K的四部分。考察了金属离子K~+、Ca~(2+)、Mg~(2+)、Al~(3+)、Fe~(3+)对各分子量组分生成三卤甲烷(THMs)的影响,结果表明五种金属离子对腐殖酸各分子量组分三卤甲烷生成的影响不同。K~+使100K分子量组分生成的CHCl_3减少,Br-THMs增加;Ca~(2+)、Mg~(2+)的加入促进了分子量10K的组分生成THMs;Fe~(3+)、Al~(3+)表现出与Ca~(2+)、Mg~(2+)类似的结果。但各金属离子的加入都使得10K的分子量组分的THMs生成量降低。 相似文献
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Mg-doped GaN nanowires have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films doped with Mg under flowing ammonia atmosphere at 850℃. The Mg-doped GaN nanowires are characterized by x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and photoluminescence (PL). The results demonstrate that the nanowires are single crystalline with hexagonal wurzite structure. The diameters of the nanowires are 20-30nto and the lengths are 50-100μm. The GaN nanowires show three emission bands with well-defined PL peak at 3.45 eV, 3.26 eV, 2.95 eV, respectively. The large distinct blueshift of the bandgap emission can be attributed to the Burstein-Moss effect. The peak at 3.26 eV represents the transition from the conduction-band edge to the acceptor level AM (acceptor Mg). The growth mechanism of crystalline GaN nanowires is discussed briefly. 相似文献
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纳米复合材料中的微观界面结构和界面作用对材料的宏观介电性能, 如介电常数、介电损耗、击穿强度等有十分重要的影响. 本文发展了一种基于扫描静电显微探针技术的测量方法, 可以直接表征二氧化钛/环氧树脂纳米复合材料的微观界面结构及相应的动态介电响应行为. 实验中利用扫描探针的纳米尺度分辨能力, 探测到不同温度下环氧树脂纳米复合材料的局域动态介电响应变化过程, 从而获得纳米颗粒与高分子界面相互作用及极化相关的温度特性. 进一步通过对二氧化钛纳米颗粒进行表面修饰, 得到了两种不同特性的二氧化钛/环氧树脂界面, 验证了不同界面作用引起的复合材料界面区域与非界面区域高分子链介电损耗图像的反差. 相似文献