在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值. 关键词： GaN 纳米结构 透射电子显微镜 光致荧光谱     

Efficient 1.3-μm electroluminescence from high concentration boron-diffused silicon p^＋-n junctions

Etectroluminescence peaking at 1.3 μm is observed from high concentration boron-diffused silicon p^＋-n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emission around 1.1 μm, but disappears at room temperature. The 1.3-μm band possibly originates from the dislocation networks lying near the junction region, which are introduced by high concentration boron diffusion.     

LnBaB9O16:Eu3+(Ln=La,Y)的结构与荧光性质

利用电子衍射、X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB₉O₁₆(Ln=La,Y)的结构特性.LnBaB₉O₁₆为单斜晶系,其中LaBaB₉O₁₆的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°;YBaB₉O₁₆的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.7776nm,c=1.6040nm,β=106.38°.荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y³⁺在YBaB₉O₁₆结构中处于中心对称格位,而LaBaB₉O₁₆中La³⁺的格位则无中心对称性.Gd³⁺部分取代LaBaB₉O₁₆:Eu³⁺中的La³⁺可改善Eu³⁺离子的发光性质.LaBaB₉O₁₆:Eu³⁺在真空紫外区的吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关.     

LnBaB_9O_(16)∶Eu~(3+)(Ln=La,Y)的结构与荧光性质

利用电子衍射、X射线衍射和荧光光谱等方法研究了 L n Ba B9O16(L n=L a,Y)的结构特性 .L n Ba B9O16为单斜晶系 ,其中 L a Ba B9O16的晶胞参数 a=1.36 6 0 nm,b=0 .7882 nm,c=1.6 2 53nm,β=10 6 .15°;YBa B9O16的晶胞参数 a=1.3476 nm,b=0 .7776 nm,c=1.6 0 4 0 nm,β=10 6 .38°.荧光光谱研究表明 ,这两种化合物结构不同 ,Y3 +在 YBa B9O16结构中处于中心对称格位 ,而 L a Ba B9O16中 L a3 +的格位则无中心对称性 .Gd3 +部分取代 L a Ba B9O16∶ Eu3 +中的 L a3 +可改善 Eu3 +离子的发光性质 .L a Ba B9O16∶ Eu3 +在真空紫外区的吸收比较弱 ,这可能与硼氧比较小有关 .     

Synthesis and PL Properties of ZnSe Nanowires with Zincblende and Wurtzite Structures

Single crystalline ZnSe nanowires with both zincblende and wurtzite structures have been synthesized via a chemical vapour deposition method under different growth conditions. The nanowires are usually 50-80nm in diameter, and several tens of microns in length. Room-temperature photoluminescence spectra from zincblende and wurtzite ZnSe nanowires show a broad luminescence band peaked at around 2. 71 e V and a deep level emission band peaked at around 2.00 eV, respectively. Effects of post-growth annealing on the photoluminescence of these nanowires have been investigated. Strong room-temperature band-edge emission could be obtained from the annealed zincblende ZnSe nanowires.     

含钇WC—Co系硬质合金中钇相的电子显微镜研究

近年的研究表明,在WC-Co系硬质合金中加入微量稀土元素,能提高合金的抗弯强度、韧性、耐磨性和抗冲击性,并可成倍地提高合金刀具的使用寿命。但有关机理的研究还只是开始,尤其是对稀土元素在合金中的存在方式和分布状态还缺乏较为深入的研究。本文采用电子显微术、能谱和能量损失谱分析等方法研究了含钇的WC-Co系硬质合金中钇相的相结构、相成分及周围的显微组织,并对钇在合金中的分布状态以及钇对合金性能的几种可能的作用机理进行了探讨。     

铈对硬质合金微观组织结构的影响

用分析电镜和带有拉伸台的高压电镜,研究了YG8R、YT5R和YT14R稀土硬质合金的微观组织和裂纹扩展特征。结果表明,添加铈在硬质合金中可能形成Ce_2O_3或Ce_2O_2S化合物,它抑制了层错扩展和fcc Co向hcp Co的转变,增加了合金中fcc Co的体积分数,提高了Co相和(TiW)C相及晶界的强度和韧性。拉伸裂纹边沿的Co相有明显的塑性变形特征,且裂纹可以穿过一些较小的WC颗粒。     

310 ℃和350 ℃下锆-4合金中沉淀相非晶化研究

用大束流加速器和透射电子显微镜研究了Zr-4合金在310 ℃和350 ℃下的质子辐照效应。当质子能量为2 MeV，在310 ℃和350 ℃下质子辐照产生原子离位损伤达5 dpa（注量率为8.5×1013 cm-2·s-1），辐照前后的明场像、高分辨相和电子衍射花样均表明:在310 ℃辐照产生原子损伤达到5 dpa，沉淀相Zr(Cr,Fe)2边缘5～10 nm的区域已经非晶化，而在350 ℃时质子辐照却没有非晶化发生。沉淀相Zr(Cr,Fe)2的元素分布图像和浓度分布表明，铁元素向基体扩散并且聚集在非晶化边界区域。     

含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究

分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶,采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒,和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型,且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO₂层中发光中心上的复合发光,对实验结果进行了合理的解释