KTP晶体中一种特殊缺陷的研究

研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。 关键词：     

关于交换环上带正则基的Hopf-Galois扩张的同构类

本文考虑交换环上带正则基的Ｈｏｐｆ－Ｇａｌｏｉｓ扩张的刻划及其同构类集合的结 构．主要结论是：当Ｂ为一交换环、Ｈ为余交换的有限Ｈｏｐｆ时,上述同构类集合 构成群并与 Ｌ~＊＝（ＢＨ）~＊的 ２次上同调群 Ｈ~２（Ｌ~＊, Ｕ）同构．     

配体能级分布对稀土配合物荧光性能的影响

通过研究稀土配合物Eu(BA)3phen,Eu(SA)3phen和Eu(TBA)3phen的紫外可见吸收光谱和荧光光谱,分析了三种不同的有机配体的能级分布情况以及这些能级与Eu3+的最低激发态能级的匹配程度。紫外可见吸收光谱表明,三种稀土配合物具有不同的吸收峰。荧光光谱表明三种稀土配合物的荧光发射强度有很大差异。根据分析结果,解释了三种稀土配合物荧光强度的差别主要来源于三种不同的第一配体能级的吸收紫外光能力,以及与Eu3+的最低激发态能级的匹配程度。这种分析方法使用配体能级分布的理论探讨了稀土配合物内部能量传递过程的问题,为深入研究稀土配合物荧光材料提供了新的思路。     

六维空间的晶态──准晶态

1984年,D.Shechtman等人报道了在急冷的Al-Mn合金的约 2 μm大小的晶粒中,用电子衍射发现了一种除显示出二次和三次对称性图象外,还出现了五次对称的图象.该图象斑点明锐,具有与晶格平移不符的点对称群m35,他们称之为二十面体相[1].此后,立即引起了巨大的反响,国内外的报刊杂志纷纷报道和评论了这个惊人的发现[2-5]。 经典晶体学不允许有五次对称.五次对称破坏了点阵的平移对称性,因而不能不留空隙地用五边形铺满平面,也不能用具有五次对称轴的二十面体不留空隙地填满三维空间.因此二十面体相不是一个服从传统晶体学规律的晶体,而是一种组…     

关于交换环上带正则基的Hopf-Galois扩张的同构类

本文考虑交换环上带正则基的Ｈｏｐｆ－Ｇａｌｏｉｓ扩张的刻划及其同构类集合的结 构．主要结论是：当Ｂ为一交换环、Ｈ为余交换的有限Ｈｏｐｆ时,上述同构类集合 构成群并与 Ｌ~＊＝（ＢＨ）~＊的 ２次上同调群 Ｈ~２（Ｌ~＊, Ｕ）同构．     

关于交换环上带正则基的Hopf-Glois扩张的同构类

本文考虑交换环上带正则基的Hopf-Glois扩张的刻划及其同构类集合的结构.主要结论是:当B为一交换环、H为余交换的有限Hopf时,上述同构类集合构成群并与L*=(BH)*的2次上同调群H2(L*,U)同构.     

获得正确长程有序参数的一个必要条件

有些金属合金在某一特定温度Tc发生有序一无序转变,当T相似文献   

有关4次根式扩张的一些结论

利用Galois理论,研究了4次根式扩张的一些性质.利用这些性质,给出了域扩张是4次根式扩张的一些等价条件,证明了域扩张是4次根式扩张当且仅当域扩张是4次Galois扩张且Galois群是4阶循环群.     

硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2<110>的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6<112>的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。 关键词：