磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ。从这一角度讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的记录介质。另外，采用波长为５１４．４ｎｍ的短波长光学静态记录测试仪对Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３薄膜的记录性能进行了测试，结果表明，这种薄膜短波长记录性能较好，它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。     

含Al(PO_3)_3氟磷酸盐玻璃的光学及其它物理性质

氟磷玻璃作为光学玻璃及激光工作物质,正在获得应用。在研究Al(PO_3)_3系统玻璃的生成及结构的基础上,本文研究了光学及其它物理性质。Al(PO_3)_3含量低的氟磷玻璃,网络结构受到极大的破坏,处于破坏区,性质变化及各种氟化物对性质的影响与处于破坏区的氧化物玻璃相似。LiF、MgF_2和AlF_3等氟化物的特殊作用在物理性质变化方面也得到反映。同时,与硅酸盐和硼酸盐等玻璃生成体含量高的玻璃比较,静电吸引力对Al(PO_3)_3含量低的氟磷玻璃的性质变化起着更大的作用。文中表示所研究玻璃在n_d～v_d图中的位置,给出低Al(PO_3)_3含量玻璃中的部分性质,与文献数据进行比较,并把部分性质的变化与Al(PO_3)_3含量相联系.     

短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达１０＾６，反射率对比度在１５％以上。     

GeSg2Te4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ－８３０ｎｍ区域的吸收，反射光谱和光学常数，发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ－６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的发射率对比度较低，可通过膜层设计来提高。     

PPV-b-PMMA二嵌段共聚物的ATRP合成及其有序自组装

在分子设计的基础上,合成了以Br为端基的聚(2,5-二辛氧基对亚苯基亚乙烯基)(PPV-Br)低聚体,并采用甲基丙烯酸甲酯(MMA)原子转移自由基聚合法,以该低聚体作为大分子引发剂,合成了PPV-b-PMMA二嵌段共聚物.经FTIR、UV-Vis、1H-NMR和GPC等表征手段证明,所合成的PPV-b-PMMA二嵌段共聚物具有分子设计的预定结构.PPV大分子引发剂和PPV-b-PMMA二嵌段共聚物的多分散性指数分别为1.3和1.2.在温度、氩气流速和相对湿度分别为22℃、0.2 m3/h和85%的条件下,以CS2为溶剂,实现了该二嵌段共聚物的高度有序六角蜂窝状结构薄膜的自组装.空穴的平均直径为1.7μm.     

磁控溅射法制备的高反Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱性质及短波长 …

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能，研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大，在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ，从这一角讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的     

GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高