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1.
通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究, 发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系, 并且在不同栅压应力下, 实验结果中均可观察到平台阶段的出现. 基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究, 通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段, 并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因.
关键词:
功率金属氧化物半导体场效应晶体管
负偏置温度不稳定性
反应扩散模型 相似文献
2.
为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考.
关键词:
非对称Halo
异质栅
应变Si
短沟道效应 相似文献
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Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlOx films deposited by atomic layer deposition 下载免费PDF全文
A comparative study of two kinds of oxidants(H2O and O3) with the combinations of two metal precursors [trimethylaluminum(TMA) and tetrakis(ethylmethylamino) hafnium(TEMAH)] for atomic layer deposition(ALD) hafnium aluminum oxide(HfAlOx) films is carried out.The effects of different oxidants on the physical properties and electrical characteristics of HfAlOx films are studied.The preliminary testing results indicate that the impurity level of HfAlOx films grown with both H2O and O3 used as oxidants can be well controlled,which has significant effects on the dielectric constant,valence band,electrical properties,and stability of HfAlOx film.Additional thermal annealing effects on the properties of HfAlOx films grown with different oxidants are also investigated. 相似文献
6.
研究了0.8 μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50 rad (Si)/s的60Co γ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势. 研究结果表明, 经过制造工艺和版图的优化设计, 在不同剂量条件下, 该样品均不产生线性区kink效应. 由碰撞电离引起的kink效应, 出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大. 在高剂量辐照条件下, 背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象, 这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的. 相似文献
7.
本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transistor(MOSFET)经过剂量率为50 rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的总剂量效应,分析了沟道长度对器件辐照效应的影响.研究结果表明:辐照总剂量相同时,短沟道器件的阈值电压负向漂移量比长沟道器件大,最大跨导退化的更加明显.通过亚阈值分离技术分析得到,氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素.与长沟道器件相比,短沟道器件辐照感生的界面陷阱电荷更多. 相似文献
8.
Flat-roof phenomenon of dynamic equilibrium phase in the negative bias temperature instability effect on a power MOSFET 下载免费PDF全文
The effect of the static negative bias temperature(NBT) stress on a p-channel power metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(MOSFET) is investigated by experiment and simulation. The time evolution of the negative bias temperature instability(NBTI) degradation has the trend predicted by the reaction–diffusion(R–D) model but with an exaggerated time scale. The phenomena of the flat-roof section are observed under various stress conditions, which can be considered as the dynamic equilibrium phase in the R–D process. Based on the simulated results, the variation of the flat-roof section with the stress condition can be explained. 相似文献
9.
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型, 仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态 (VD=5V) 的 H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.
关键词:
单粒子脉冲电流
漏极收集电荷
总剂量效应 相似文献
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