| 栅长对PDSOINMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究 |
| |
| 引用本文： | 彭里,卓青青,刘红侠,蔡惠民.栅长对PDSOINMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究[J].物理学报,2012,61(24). |
| |
| 作者姓名： | 彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部科技创新工程重大项目培育资金，中央高校基本科研业务费专项资金( |
| |
| 摘 要： | 本文对PDS01NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试，分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理．研究结果表明，短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大，使器件跨导出现退化．PDSOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因．短沟道器件输出特性的击穿电压更低．在关态偏置条件下，由于背栅晶体管更严重的辐射效应，短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重．
|
| 关 键 词： | PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态 |
Gate length dependence of SOI NMOS device response to total dose irradiation |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PD SOI NMOS total ionizing dose gate length bias state |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
