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窄阱ZnSe—ZnS应变多量子阱的制备和鉴定 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了利用常压MOCVD法制备窄阱ZnSe•ZnS应变多量子阱的方法,经X射线衍射、光致发光(PL)及扫描电镜(SEM)实验测定表明,该结构具有较好的结晶质量,阱宽约为0.5nm。 相似文献
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