锑化铟单晶的小平面生长及孪晶

采用切克劳斯基技术,观察了按不同晶向从熔态生长InSb单晶时固液界面的形貌。实验表明,结晶面上{111}小平面的发展和性质与单晶体的外形及孪晶的形成有着密切的关系,采用一个闪锌矿结构的{1ll}面八面协及双八面体模型能成功地解释各种实验现象。 关键词：     

HCl—Fe~( )溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑

实验观察了HCl-Fe~( )溶液显示Insb{111}晶面位错蚀坑的精细结构,研究了蚀坑结构与位错线走向以及滑移面的关系,并讨论了这种蚀坑形成的动力学过程。研究结果表明,在<112>与<112>晶向的溶解台阶上,折角的不同核化几率与横向运动速度是位错饮坑具有二类不同性质溶解边缘的基本原因。     

红外辐射与红外技术

 雨过天晴,彩虹飞架,这一奇特的自然现象,曾给人类带来无数美妙的遐想.大约三百多年以前,人们采用三棱镜分光的方法,将太阳光分解成红、橙、黄、绿、青、蓝、紫七种颜色,从而解开了这一千古之谜。然而,除这些颜色光外,太阳光是否还包含有其他成分?这一问题引起科学家们的兴趣.1800年英国天文学家威廉·赫歇耳在测量太阳光七种颜色成分中的热量分布时发现,随着温度计从三棱镜后的紫色光向红光移动时,温度指示越升越高.尤其使他感到惊奇的是,当温度计移到红光以外时,温度指示不但没下跌,反而升得更高.由此,他断定在太阳光的红光之外,还存在着一种新的不可见的光线,它具有比可见光更强的热效应.后来,人们将这种光线定名为红外光,又称之为红外辐射.     

红外探测器的新型材料——HgCdTe晶体的生长和应用

H—VI族化合物HgTe与CdTe能无限无溶,形成赝二元系合金Hgl-xCdxTe(以后简称HgCdTe)晶体材料.组分x可以从零到1.材料的物理性质随组分x的变化可连续地从半金属改变到半导体.利用HgCdTe材料制作的红外探测器,有很宽的波长覆盖,它的特点是:介电常数小、光吸收系数大、电子-空穴迁移率比高等.这种晶体是目前最有发展前途的一种红外探测器材料[1]. 一、HgCdTe晶体研究的崛起 五十年代后期以来,随着对环境温度探测的需要,人们希望能得到一种红外材料,它既能响应 8—14μm的红外波段,又能在77K以上温区工作.这就要求这种材料能具有类似InS…     

HCl—Fe+++溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑

实验观察了HCl-Fe⁺⁺⁺溶液显示Insb{111}晶面位错蚀坑的精细结构,研究了蚀坑结构与位错线走向以及滑移面的关系,并讨论了这种蚀坑形成的动力学过程。研究结果表明,在<112>与<112>晶向的溶解台阶上,折角的不同核化几率与横向运动速度是位错饮坑具有二类不同性质溶解边缘的基本原因。 关键词：     

锑化铟单晶中杂质的反常分凝

借助于电学及质谱分析方法测定了掺Te,及未掺杂InSb晶体横截面上的杂质浓度分布。结果指出,杂质在小平面上具有明显的反常分凝现象,对于小平面效应的机制进行了讨论,并根据热力学理论给出了一个能满意解释实验结果的具体表式。 关键词：