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1.
用密度泛函(DFT)方法(BLYP/3-21G~*)研究了C_(74)的稳定几何构型。用 ZINDO及ab initio GIS两种方法对C_(74)的电子光谱进行了计算,预测C_(74)在红 外区域有光谱吸收。计算了C_(74)的三阶非线性光学系数<γ>为1.483 * 10~(-32) esu,它比C_(60)的<γ>(8.84 * 10~(-34) esu)要大得多。预测C_(74)亦将是 一种有很好应用前景的磁性材料。  相似文献   
2.
采用AM1和ZINDO系列方法研究了螺旋共轭分子2,2′-螺二茚-1,1′, 3,3′-四酮及其含氮衍生物的几何构型和各分子的稳定构型, 并以稳定构型为基础, 计算了这些分子的电子光谱、二阶非线性光学系数βμ, β0及电荷转移, 考察了取代基变化对βμ的影响. 计算结果表明, 所设计分子兼具较大的二阶非线性光学系数和较高的透过率, 有希望成为一类新型的二阶非线性光学材料.  相似文献   
3.
用密度泛函B3LYP方法对3,9-咔唑低聚物[(3,9-carbazole)n(n=1,2,3,4,6,8)]体系进行了全优化, 计算得到电离能、电子亲合势、空穴抽取能及电子抽取能等相关能量, 用ZINDO和TD-DFT方法计算得到吸收光谱; 分析了各种能量的变化及光谱规律. 用外推法由低聚物分子的各种性质与聚合度n相联系得到高聚物的性质, 将所得结果与2,7-咔唑(2,7-carbazole)及类似聚合物进行了比较分析. 结果表明, 3,9位聚合的咔唑整体共轭程度降低, 光谱蓝移, 其IP值和聚芴相近, 可以作为空穴接受材料应用于多层电子荧光器件的空穴传输层. 用CIS方法进行优化得到部分分子的S1激发态结构, 用ZINDO和TD-DFT方法得到对应的发射光谱.  相似文献   
4.
3,6-和2,7-咔唑衍生物单光子和双光子吸收性质的理论研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用密度泛函理论B3LYP方法以及ZINDO/SDCI方法计算3,6-和2,7-咔唑衍生物的分子平衡几何结构、电子结构及单光子和双光子吸收性质.乙烯基吡啶取代基的位置影响分子的单光子和双光子吸收性质.与3,6-咔唑衍生物相比,2,7-咔唑衍生物的单光子吸收波长红移,振子强度增大;双光子吸收波长红移,双光子吸收截面增加.结果表明,2,7-咔唑衍生物是更好的双光子吸收材料.  相似文献   
5.
采用HF方法和DFT/B3LYP方法对一种新型的含芴三苯胺,即9-苯基芴-4-三苯胺有机化合物进行了基态结构全优化,CIS方法获得分子最低激发态结构,并采用TD-DFT方法计算分子的吸收光谱和发射光谱.计算结果表明,该分子从基态到激发态的跃迁,几何结构变化主要表现在分子中心三苯胺中苯环和N原子之间的二面角上,吸收及发射光谱的计算结果与实验值一致,吸收光谱为324.52nm,发射光谱为379.01nm,荧光寿命较长,为60.6637ns,是优良的典型蓝色有机电致发光材料.  相似文献   
6.
用INDO系列方法对自由基C69N(Cs)及双体(C69N)2(C2h)进行了理论研究,结果表明:笼骨架上N的掺入使C70笼发生畸变,N向笼外突出,与氮相连的碳(6-6环上的C)自旋密度较大,2个C69N自由基在这个碳上以C-C单键连接,形成双体为C2h对称性,N与附近的3个碳均以单键连接,并不断开。理论计算的电子光谱与实验吻合较好,(C69N)2易分解为单体C69N.  相似文献   
7.
在ZINDO方法基础上,按完全态求和(SOS)公式编制了计算分子二阶非线性光学系数β的程序.研究了(二噻吩[3,2-b:3',2'-d]环戊烷-4-亚基)C60中的分子轨道相互作用,计算了该分子的电子光谱和二阶非线性光学系数卢,前者与实验结果吻合较好,后者属于理论预测性质.  相似文献   
8.
用INDO系列方法对双笼化合物C120CO进行了理论研究,结果表明,C120CO中O具有较大的电负性,在此位置可形成氢键.分子内电荷转移较大,非线性光学系数可能较大.C120CO的电子光谱与C120CH2和C120O的相似.  相似文献   
9.
用INDO系列方法对双笼氧化物C~1~2~0O进行了理论研究,结果表明:双笼氧化物C~1~2~0O的形成缓解了C~6~0O中环氧三元环的角张力,并形成了呋喃型五元环将两碳笼连接在一起。两碳笼的直接键连使两笼距离较近,有较弱的相互作用,但仍各自表现一定的独立性,C~1~2~0O可发生分解生成新的化合物,C~1~2~0O的电子光谱与母体分子C~6~0相似。  相似文献   
10.
经从头计算,得到4,4'-二氟苯酮二面角为44°,MES3二面角为51°;用UV光谱法研究了单分散齐聚物在H2SO4中的分子构象与极化,结果表明:H2SO4使碳基质子化是产生极化的主要因素之一,由此产生的新吸收峰在λ=400nm左右;极化作用产生的平面构象经重叠后在λ=500nm左右产生另一新的吸收峰.由质子化模型并考虑组态相互作用的计算结果与文献一致.证明了聚芳醚酮高聚物在H2SO4中,于400nm左右处产生的峰(UV)为羰基极化的结果,指明在H2SO4中测其分子量时应按羰基含量校正.  相似文献   
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