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采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。 相似文献
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采用80wt;商洛钒尾矿为主要原料,加入钾长石、粘土为辅助原料,以SiC为发泡剂,制备性能优异的轻质高强陶瓷颗粒.采用单因素变量分析法研究钒尾矿含量、SiC添加量、烧成温度和保温时间对陶粒结构及性能的影响.研究结果表明:随着发泡剂SiC含量的增加、烧成温度的提高和保温时间的延长,陶粒的堆积密度和筒压强度均降低,吸水率均升高.最终加入2wt;SiC为发泡剂,在1125℃下保温30min制得堆积密度631kg/m3,筒压强度9.1MPa,吸水率3.1;的轻质高强陶瓷颗粒. 相似文献
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采用固相反应法合成了一系列掺Tb3+的Na3La2(BO3)3多晶粉末,Tb3+的最大掺杂浓度约为30mo1;.在室温下测试了Na3La2(BO3)3:Tb3多晶粉末的红外光谱、发射光谱、激发光谱和荧光寿命.结果表明:在253 nm紫外光的激发下,Tb3+在487 nm、545 nm、583 nm和621 nm处有一组发射峰,分别对应于Tb3的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁.研究了荧光发射强度与Tb3+浓度之间的关系,掺杂浓度小于30mo1;时,荧光发光强度随Tb3+掺杂浓度的增加而增强. 相似文献
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块状TiO2气凝胶的制备及其表征 总被引:12,自引:1,他引:11
随着以溶胶-凝胶法和超临界干燥技术为基础的气凝胶制备方法的逐步完善,已不断制备出多种气凝胶[1~3].由于TiO2具有半导体特性,它常被作为光催化剂而受到重视,但是TiO2气凝胶的结构强度远比SiO2气凝胶小,在制备过程中极易碎裂粉化,所以至今未见制备块状TiO2气凝胶的报道.Dagan等[4]曾用异钛酸丁酯为母体制得TiO2气凝胶,并发现水杨酸在TiO2气凝胶存在下的光解速率是一般TiO2粉末的10倍,但获得的仅为TiO2气凝胶粉末.张敬畅等[5]以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法结合超临界干燥技术制备了纳米级TiO2气凝胶,也未能得到块状TiO2气凝胶材料. 本文报道以正钛酸丁酯为原料制备块状TiO2气凝胶的方法,并用TEM,SEM,XRD和IR等手段对所获得的气凝胶进行了结构表征. 相似文献
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线型脲醛树脂的半结晶模板化作用 总被引:2,自引:0,他引:2
酸性条件下硅溶胶体系中尿素和甲醛聚合反应会产生脲醛树脂-氧化硅杂化沉淀. 沉淀的质量随有机组分比例的增加而增加, 当尿素和甲醛物质的量比≥1.0时生成沉淀的量为恒定最大值. 红外分析表明杂化材料在3348, 1635, 1572和784 cm-1处产生了可被归结为线型结构(—[NHCONHCH2]n—)的特征吸收. XRD分析表明这种线型分子可形成氢键(C=O…H—N)导向型的半结晶. 微分热重和XRD结果证明结晶物种在290 ℃完全分解. SEM表征显示半结晶杂化沉淀以三维网络结构为特征, 具有层状结晶的各向异性, 其初级粒子即使在室温下干燥也容易开裂. 随着反应时间的延长、酸性的增加或无机组分量的相对增加杂化粒子变得更加致密. 液氮吸附结果证明沉淀焙烧后所得氧化硅材料的结构具有层状孔结构性质, 其比表面积、孔尺寸和孔体积可以达到510 m2/g, 14.3 nm和1.68 cm3/g. 改变反应体系的酸性和反应组分配比等条件可以方便地控制杂化材料的结构. 相似文献
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本文采用固相反应法合成了一系列掺Nd3+的Na3La2(BO3)3(Na3La2(BO3)3:Nd3+)多晶粉末,X-ray粉末衍射分析表明,它们属于正交晶系,Amm2空间群.测试了Na3La2(BO3)3:Nd3+的红外光谱、反射光谱和荧光光谱,观察到试样在590 nm、740 nm和800 nm附近存在显著吸收,以及在878 nm、1067 nm、1326 nm三个发射带.研究了发光强度与Nd3+离子浓度之间的关系,确定了Nd3+离子在Na3La2(BO3)3基质中发光的适宜浓度为10 ;摩尔分数. 相似文献
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