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1.
2017年版普通高中数学课程标准对复数版块做了局部调整,增加了复数三角表示.2021年全国新高考统一考试适应性训练和2020届高考数学全国卷(Ⅱ)(理科)对复数深度考查了与“模”有关的运算,本案例举几例复数求模问题,感受“模”在复数运算中的重要地位. 相似文献
2.
材料高压下的状态方程(EOS)在天体物理、材料科学和惯性约束聚变(ICF)等研究领域中都是十分重要的。2004年在“神光”-Ⅱ装置上进行了单路倍频激光直接驱动的Al-Cu阻抗匹配靶实验和Cu-Al阻抗反匹配实验,目的是提高冲击波速度的测量精度和准确性,同时校验测量方法的实用性和可靠性。 相似文献
3.
4.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
5.
6.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献
7.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。 相似文献
8.
分类讨论是中学数学中一种重要的数学思想,也是近几年高考考查的重点内容.同学们解决这类问题最困惑的就是不知如何划分范围,本文结合几个典型例题介绍一种划分范围的简捷方法——零点法. 相似文献
9.
We study the electronic energy levels and probability distribution of vertically stacked self-assembled InAs quantum discs system in the presence of a vertically applied electric field. This field is found to increase the splitting between the symmetric and antisymmetric levels for the same angular momentum. The field along the direction from one disc to another affects the electronic energy levels similarly as that in the opposite direction because the two discs are identical. It is obvious from our calculation that the probability of finding an electron in one disc becomes larger when the field points from this disc to the other one. 相似文献
10.
We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases. 相似文献