新型以咔唑为主链的能量转移型发光聚合物

用Suzuki偶合反应合成了一系列以咔唑为主链，与不同的芳香环和杂环化合物 共聚的新型电致发光无规共聚物．这些共聚物溶于普通的有机溶剂，发较强的荧光 ．咔唑链段为共聚物提供了很好的空穴传输和空穴注入性能．与咔唑共聚的窄能隙 单体，如蒽(ANT)、噻吩(Th)、2，1，3-苯并噻二唑(BTDZ)、2，1，3—苯并硒二唑 (BseDZ)和4，7—二噻吩—2，1，3—苯并噻二唑(DBT)在聚合物中含量小于50％时 成为陷阱中心．还观察到极为有效的分子内能量转移．由于共聚单体的能隙不同， 这些电致发光共聚物的发光范围可覆盖整个可见光谱区．研究结果表明，用咔唑作 为宽带主体，与少量低带隙单体共聚，有可能成为一种合成同时兼有优异空穴注入 特性，又能广泛调节发光颜色的新的发光聚合物体系．     

芴与噻吩发光共聚物的合成及其电致发光性能

采用Suzuki偶合方法合成出了一系列新型的 9,9 二辛基芴 (DOF)和噻吩 (Th)的共聚物 .其中 ,DOF与Th的投料比 (摩尔比 )分别为 95∶5 (PTF5 )、90∶1 0 (PTF1 0 )、85∶1 5 (PTF1 5 )、70∶3 0 (PTF3 0 )、5 0∶5 0 (PTF5 0 ) .所有的聚合物均可溶于常用的有机溶剂 ,如THF,CHCl3等 ,其分子量在 60 0 0～ 5 3 0 0 0之间 .当在聚芴主链中引入噻吩后 ,其发光波长发生了红移 ,最大发光波长由PTF5时的 490nm红移到PTF5 0时的 5 41nm .随着聚芴主链中噻吩含量的增加 ,最大电致发光和光致发光效率都逐渐降低 由这些聚合物所制得的器件 ,最大电致发光效率为PTF5和PTF1 0的 0 45 %.由此表明 ,在聚芴主链中引入少量的低带隙单体噻吩可以调节聚芴的发光颜色及发光效率     

烷基芴-噻吩无规共聚物电致发光器件的谱色调节与稳定性研究

利用不同比例的烷基芴-噻吩无规共聚物，制备了聚合物薄膜发光二极管，研究了不同噻吩含量对器件电致发射光谱的影响，发现改变共聚噻吩含量可有效调节器件发光谱色。通过研究器件在增加电流密度、升温老化处理后的光谱演变发现，相应器件的谱色稳定性在噻吩含量达到5％-10％后相当稳定，噻吩含量10％的共聚芴所制备的器件在电流密度达到520mA/cm^2或经过高达160℃温度老化后发光谱色无变化。初步探讨了共聚芴荧光谱色随噻吩含量变化的机制，认为无规共聚已使得两种共轭单元对应的能带结构发生相当程度的杂化。而对器件谱色随电流升高、温度老化表现出的优异稳定性，则认为源于低带隙材料的引入破坏了聚芴分子链的共平面结构，提高了形成激基缔合物的能垒。     

DSC程序设定升(降)温速率偏离的简易修正方法

通过对程序设定的不同升、降温速率下差示扫描量热法(DSC)图谱的数值分析，发现在试样发生相变时实际过程的升(降)温速率偏离仪器程序设定的线性速率现象；从热流的定义出发，提出了对DSC相变热流数据作升(降)温速率偏离线性的简易修正方法。