关于周期环结构的几个定理

本文给出了有关周期环结构的一些结果,而使文献[1]中的所有定理都可以做为本文结果的直接结论。     

MgB2交流响应teff的电流效应

本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率

本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式．     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

高导电性ML(TCNQ)_n(n=2,3)盐的磁性研究

测定了高导电性ML(TCNQ)n盐的ESR谱和变温磁化率数据,结果表明,在某些ML(TCNQ)_3中存在电子由[ML]~(2+)至(TCNQ)_8~(2-)的转移,使之成为n-型半导体。     

羧甲基壳聚糖/明胶共混膜的结构表征与吸湿保湿性

壳聚糖通过羧甲基化得到水溶性N，O-羧甲基壳聚糖，并将其配制成4Wt％水溶液，与4Wt％明胶水溶液共混，成功制得了羧甲基壳聚糖／明胶共混膜。采用红外光谱、x射线衍射、扫描电镜对共混膜进行结构表征，结果表明，共混膜中羧甲基壳聚糖和明胶分子间存在着较强的相互作用及良好的相容性。通过共混膜的力学性能测试，发现当羧甲基壳聚糖含量为20％时，共混膜的抗张强度达到最大值(75MPa)，分别比单独的羧甲基壳聚糖(45MPa)和明胶(43MPa)提高了66．7％和74％。经过吸湿和保湿性能测试，发现当羧甲基壳聚糖含量为80％时，吸湿率和保湿率分别为33．4％和69．2％，比单独的明胶膜分别提高了1．8倍和2．1倍。     

薄层树脂相吸光光度法测定痕量钴的研究

提出了用薄层树脂相通过光度法测定痕量钴的新方法。本法具有灵敏度高，选择性即，快速等特点。钴离子（Ⅱ）与４－（５－氯－二吡啶）偶氮］－１，３－二氨基苯（简称５－Ｃｌ－ＰＡＤＡＢ）生成有色稳定配合物，将其富集在Ｈ＾＋型（７３２＾＃）。阳离子交换树脂上，制作成薄层直接测定，λｍａｘ＝５７１ｎｍ。本法既克服了需特制１ｍｍ比色皿的困难，又提高了测定精密度，使推广树脂相光度法成为可能。用本法实测了天然水中痕量     

溶剂浮选-间接光度法测定抗坏血酸

于pH 7.0的磷酸盐缓冲介质中,CTMAB＋及I3-离子间借静电引力形成离子缔合物,可将其浮选入5.0 mL苯中,此缔合物在溶剂中,于365 nm处有吸收峰,较简单的I3^-离子在相同条件下的吸收峰（350 nm）红移了15 nm。在此溶液体系中存在抗坏血酸时使离子缔合物产生褪色反应,且在抗坏血酸浓度在25μg/50 mL以内时与吸光度的降低值（ΔA）间呈线性关系。在抗坏血酸浓度为6.0μg/50 mL时连续测定6次,所得结果的RSD为1.2%,回收率在96%-101%之间。     

四元缔合物体系薄层树脂相分离与光度法联用测定痕量钴

提出了在酸性条件下 (pH=5.0),利用阳离子交换树脂-丁二酮肟-碘-钴四元体系,通过薄层树脂相光度法测定钴的新方法。本法灵敏度高 (e454=1.7105L/molcm),比水相光度法提高14倍,精密度理想 (测定2.0礸/ml Co(II) 6次,RSD=1.3%),选择性好。实测药品VB12及天然水中钴,线性范围0.024~2.0礸/ml (定容50ml),检出限10.4ng/ml。