氢化钛热分解反应动力学及铝合金熔体泡沫化研究

建立了金属管道结构氩载气流中的程序升温分解(TPD)装置, 测得了氢化钛的TPD谱线. 运用查表法和谱线重叠法对该TPD谱线进行了分峰拟合, 求得了热分解反应动力学方程组, 据此计算获得了940 K时氢化钛的分解量对时间的关系线, 结果正好与氢化钛分解所致的铝合金熔体泡沫化过程相吻合.     

基于[Cr_3O(OOCC_2H_5)_6(H_2O)_3]~+和α-Keggin多金属氧簇的微孔化合物的合成和晶体结构(英文)

以H4SiMo12O40.nH2O和[Cr3O(OOCC2H5)6(H2O)3]NO3.nH2O等为原料,合成了一例新颖的微孔化合物K2[Cr3O(OOCC2H5)6(H2O)3]2[SiMo12O40].1.5HAc.6H2O;利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、红外光谱仪及紫外光谱仪分析了产物的晶体结构和分子结构.结果表明,合成的化合物属于三斜晶系,P-1(2)空间群,晶胞参数为a=1.299 64(5)nm,b=1.299 64(5)nm,c=2.090 26(8)nm,α=76.406 0(10)°,β=74.126 0(10)°,γ=79.658 0(10)°,Z=2.就其分子结构而言,阴、阳离子通过K+离子的桥联作用形成一维链状结构,而相邻链之间通过氢键形成二维层状结构.     

Porosity of porous Al alloys

Two porosity models of porous Al alloys with different pore types (ball and polygon shape) were established. The experimental results coincide well with theoretical computations. The porosity of Al alloys (Prc) consists of three parts, porosity caused by preform particles (Prp), additional porosity (Pra), and porosity caused by solidification shrinkage (Prs). Prp is the main part of Prc while Pra is the key for fabricating porous Al alloys successfully in spite of its little contribution to Prc.     

四元数中的真半范数

讨论了四元数中的真半范数，并给出了它的一般形式，它适合核维数分别为1，2，3的情形，推广了复数域中的真半范数的一般形式，给出了一个较好的结果．     

平抛运动推论的应用

平抛运动的处理方法一般是利用运动的合成与分解，若将平抛运动规律进行总结，作为推论来分析平抛运动及类平抛运动，则显得简单明了，本文对此作一介绍．     

金属-有机框架衍生的中空碳材料及其在电化学能源存储与氧还原领域中的应用

金属-有机框架材料(metal-organic frameworks,MOFs)是一类由金属离子或金属团簇与有机配体通过配位键连接形成的具有周期性网络结构的多孔配位聚合物。这类材料通常具有孔道规整、比表面积大、孔隙率高、结构可设计及孔壁易修饰等特点,诸多的优点使得MOFs的研究从配位化学跨越到多个学科领域,成为当前多学科交叉前沿热点之一。近来的研究发现,以MOFs为前驱体碳化后制得的碳材料可保留MOFs的大比表面积和多孔结构,同时可以实现均匀的杂原子(如N、P、S、B等)掺杂,而且通过选择合适的MOFs前驱体可调控产物的组成和形貌尺寸,这些显著的结构特征使其具备了成为高性能功能性材料的潜力。最近,以MOFs为模板或前驱体制备的中空碳材料引起了人们的广泛关注,这主要是因为中空结构可有效缓解材料在电化学过程中产生的体积变化及受到的冲击,而且中空结构可暴露出更多的活性位点,具有快速的传质过程,使得材料发挥出最优性能,故而此类材料可被用在二次电池、电容器、电催化等多种电化学器件和多个领域中。基于此,本文综述了MOFs衍生的中空碳材料在储能器件及电催化领域的研究进展,主要包括锂离子电池、锂硫/硒电池、钠离子电池、超级电容器、电催化氧还原等领域,并对这类材料当前面临的挑战及未来的发展趋势进行了阐述。     

多孔铝合金的孔隙率

建立了两种孔形(球形,多角形)多孔铝合金总孔隙率(Pr_c)的物理模型,实验值(Pr_e)与理论计算值((Pr_c)符合良好.多孔铝合金的总孔隙率(Pr_c)由填料颗粒堆积造成的孔隙率(Pr_堆积)、液-固两相不浸润所致的附加孔隙率(Pr_附加)和凝固收缩引起的孔隙率(Pr_凝固)组成.Pr_堆积是Pr _c的主部,Pr_附加对Pr_c的贡献虽小,但却是成功制备多孔铝合金的关键.     

宽沟道SI-GaAs衬底上适于光发射机的BH激光器

目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激光器,实现了表面平面化。在800℃一次外延生长四层。第一层n⁺-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层。采用适当的腐蚀条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区自对准。上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10¹⁶cm^-3,下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO₂膜沉积等一系列工艺,提高了成品率,减化了工艺程序。利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的欧姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n⁺-GaAs层引出的。 这种沟道SI-GaAs衬底正装GaAlAs/GaAs BH激光器室温连续工作阈值电流为55mA,P-I曲线在100℃仍有良好的线性关系。