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Electroactive conducting copolymers of aniline(ANI) and diphenylamine(DPA) are prepared on indium tin oxide(ITO) surface from 1 mol/L H2SO4 aqueous solution with different feed ratios of ANI to DPA by using a potentiostatic method. FTIR spectra and SEM measurements are used to confirm the formation of copolymers. Due to the combination of the N,N′-diphenyl benzidine and aniline units in the molecular chain, the copolymer films exhibit improved electrochemical and electrochromic properties, compared to PANI and PDPA. The copolymer [marked as P(ANI9-co-DPA1)] film prepared at a ratio of 9:1(ANI/DPA) exhibits novel transmittance modulation both in visible and near-infrared(NIR) region between -0.8 V and 0.8 V(52% and 67% respectively) and fast response time(3.6 s for coloration and 2.3 s for bleaching at 600 nm). An electrochromic device(ECD) based on P(ANI9-co-DPA1) and PEDOT:PSS is also fabricated and shows a multicolor electrochromic performance, with a good optical contrast(29% in visible region and 40% in NIR region), acceptable response time(8.3 s for coloration and 7.5 s for bleaching at 600 nm) and long-term stability. Clear color changes from transparent(-0.8 V), bright green(0 V), seagreen(0.4 V) to dark slate gray(0.8 V) are demonstrated. 相似文献
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采用聚合物前驱体方法,以柠檬酸为配位剂,乙二醇为酯化剂,低温合成纳米LiTaO3粉体.以红外光谱和拉曼光谱研究了柠檬酸与金属离子的配位情况.当柠檬酸和金属离子物质的量的比为2.5:1、柠檬酸和乙二醇的物质的量比为1:2时可形成稳定的Li-Ta前驱体溶胶.用差热.热重对凝胶前驱体的热分解历程进行分析,采用X射线衍射和红外光谱对Li-Ta凝胶前驱体及不同温度下煅烧所得粉体的相组成进行分析.结果表明,凝胶前驱体经600℃下煅烧2 h可以得到纯钙钛矿型纳米LiTaO3粉体.平均粒径为60~80 nm. 相似文献
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聚合物导电性能差, 表面电荷积聚所产生的电容效应致使其表面电位衰减, 采用等离子体浸没离子注入对其表面改性是非常困难的. 建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的粒子模拟(PIC)模型, 实时跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析. 并基于PIC模型, 将聚合物表面的二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数等物理量对鞘层演化、离子注入能量和剂量的影响规律. 研究结果表明: 当聚合物厚度小于200 μ m, 相对介电常数大于7, 二次电子发射系数小于0.5时, 离子注入剂量和高能离子所占的份额与导体离子注入情况相当. 通过对聚合物表面离子注入剂量和高能离子所占份额的研究, 为绝缘材料和半导体材料表面等离子体浸没离子注入的实现提供了理论和实验依据. 相似文献
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以氧化石墨烯为原料, 高温下自组装得到高结晶的三维交联石墨烯纳米纤维. 扫描电子显微镜和透射电子显微镜观测结果表明, 三维石墨烯纳米纤维为实心结构, 直径小于100 nm, 石墨烯片层有序排列卷曲, 具有较高的结晶度. 电化学性能研究结果表明, 该纳米纤维作为锂离子电池负极材料时, 展现出较高的首次库仑效率(72.4%)与储锂容量(0.1C倍率下容量为692.7 mA·h/g)、 良好的倍率性能(20C倍率下容量为373.3 mA·h/g)及优异的循环稳定性(1000次循环后容量保持率为84.1%). 相似文献
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为保证 ECL具有更好的电路性能,低温下制备 SiGe HBT作为基本器件的 SiGe ECL电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小.1引言 SiGe ECL电路是目前国际研究前言,在高速 CPU、卫星通讯等领域有较高应用价值,在国内军事领域也将会有应用前景[1] 采用SiDe HBT作为ECL电路单管可实现更低延迟时间单元电路[2].为保证ECL单元电路具有较快速度,SiDe HBT需采用超薄基区、低发射区掺杂高基区掺杂等新型结构[3,4]. 从基尔霍夫方程出发,可对ECL对管延迟时间作较为精确的推导.t… 相似文献
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