膜流动电位测试中Ag-AgCl电极的制备及稳定性研究

膜的动电特性研究中,往往采用流动电位方法。该方法中,Ag-Ag Cl测试电极的质量是影响测试准确性的关键要素。本文采用正交试验设计和方差分析,着重考察电解法制备Ag-Ag Cl电极过程中,电流强度(I)、氯化时间(t)、电解质溶液浓度(CHCl)、电极来源(n)、烘烤温度(T)、活化电极溶液浓度(CKCl)等因素对Ag-Ag Cl电极稳定性的影响。得到Ag-Ag Cl电极的最优制备参数为:电流密度3.0m A/cm2,氯化时间50min,盐酸浓度0.1mol·L-1,烘烤温度120℃,活化电极溶液(KCl)浓度0.001mol·L-1;最显著影响因素为电极来源,显著影响因素为氯化时间和烘烤温度。对最优条件组合下制备的AgAg Cl电极,进行了稳定性实验,结果表明:制备的电极具有较好的稳定性,24h内电极电位漂移量小于0.10mv,7天内电极电位漂移量小于0.2mv;在聚偏氟乙烯中空纤维超滤膜流动电位测试中,流动电位与流动压差具有良好的线性和可重复性,回归曲线R20.99,变化规律符合Helmholtz-Smoluehowski公式,可以较好满足膜的流动电位测试要求。     

准静力学双面接触支承问题及其粘弹性材料的非局部摩擦

建立了描述变形体和基础间接触问题的数学模型.接触是双面的,并采用非局部摩擦定理建模,支承列入计算.粘结场(bonding field)的变化用一个一阶的常微分方程来表示,材料特性用一个非线性粘弹性本构关系建模.导出了该力学问题的变分公式,当摩擦因数充分小时,证明了其弱解的存在性和唯一性.依赖于时间的变分不等式、微分方程和Banach不动点理论,是该证明依据的基础.     

13.5—14.6MeV能区中子引起的50Cr(n,2n)49Cr和52Cr(n,2n)51Cr核反应截面的测量

报告了在13.5-14.6MeV中子能区，用活化法(以93Nb(n，2n)92mNb反应截面为中子注量标准)测得的50Cr(n, 2n)49Cr和52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面. 由能量为13.5±0.3 ,14.1±0.2,14.4±0.3 和14.6±0.3MeV的中子引起的50Cr(n, 2n)49Cr反应截面值分别为3.4±0.2,6.8±0.3,21.5±1.0 和25.0±1.2mb，52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面值分别为185±10,193±9,258±13 和332±16mb. 单能中子用T(d,n)4He反应获得，其能量用铌锆截面比法测定. 另外，为避免热中子引发的50Cr(n, 2g)51Cr对52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的影响，在样品被辐照过程中对样品进行了包镉处理，并将实验结果与尽可能收集到的其它实验数据进行了比较.     

基于NIR结合化学计量法牛肉糜掺假检测

采用近红外(Near Infrared, NIR)技术(12500～5400cm-1)快速无损检测牛肉糜的掺假。判别分析(Discriminant Analysis, DA)、主成分回归(Principle Component Regression, PCR)等功能强大的化学计量学技术被用于掺假检测和掺假水平预测模型。通过选择适当的光谱波长和使用不同的光谱预处理方法,优化了DA和PCR模型。选择特定波长和使用(无预处理方法)的DA模型分类率达到了100%。基于全波长和使用(无预处理方法的)PCR的最佳预测模型的相关系数Rp为92.21%,样本的预测均方根误差(Root Mean Square Error Of Prediction, RMSEP)为9.80。研究结果说明NIR技术对牛肉糜的掺假体系适用。     

AMS measurement of In-situ produced cosmogenic 10Be in Loess Quartz in Luochuan

Loess is the most important and the most typical continental classic sediments of Quaternary. So the measurement of In-situ produced cosmogenic ¹⁰Be is expected to be used for the Loess stratigraphic age. But the production rate of In-situ produced cosmogenic ¹⁰Be in Loess quartz is very low. It requires very high sensitivity and accuracy of measurement. This work has measured the concentrations of ¹⁰Be of two layers in Loess section of Luochuan including L8, L9 and the concentrations of ¹⁰Be in (of) blank sample with the HI-13 AMS system at China Insitute of Atomic Energy(CIAE), then calculated the content of ¹⁰Be in loess quartz for each layer. The ratio of ¹⁰Be/⁹Be was found in the range of 10^－13. The background of ¹⁰Be/⁹Be was about 3×10^－14.     

基于MCPT解法器库的专用辐射探测模拟软件研发与应用北大核心CSCD

甲状腺内^(131)I放射性活度与辐射探测结果的比例关系与甲状腺几何尺寸、探测距离等因素相关,是估算甲状腺内^(131)I含量与其可能造成的辐照损伤的关键参数。基于MCPT辐射输运数值模拟算法器库开发了用于开展NaI探测器伽马辐射测量模拟的应用程序,进而建立了多组具有不同容积的甲状腺型容器和不同探测距离的物理模型,最终通过蒙特卡罗数值计算得到了不同测量状态下探测器的探测效率。在甲状腺型容器与探测器距离较远时,数值模拟给出的结果与理论计算结果一致,证明此应用程序可用于定量分析NaI的探测效率。数值模拟结果表明,小距离模型的结果受甲状腺样容器的大小和距离的显著影响,模拟给出的探测效率表为开展深入细致的实验研究奠定了基础。     

基于四核铜簇单元构筑的配位聚合物及光催化降解性能

以1,3-双咪唑基丙烷(1,3-BIP)、1,3,5-苯三甲酸(H₃BTC)和Cu(NO₃)₂·3H₂O为原料,在溶剂热条件下合成了Cu(II)配位聚合物[Cu₂(μ₃-OH)(1,3-BIP)(BTC)]_n(SNUT-20),并用元素分析、热重分析、红外光谱、单晶X射线衍射等表征手段对配位聚合物进行了表征。单晶X射线衍射解析结果表明,配位聚合物SNUT-20是一个以四核铜簇作为次级结构单元,通过混合配体的进一步连接,形成一个3,8双节点的拓扑结构。此外,配位聚合物SNUT-20对罗丹明B(RhB)、亚甲基蓝(MB)和甲基橙(MO)表现出良好的光催化降解性能,对RhB、MB、MO的降解率分别达到了81.5%、89.4%和48.3%。     

Self－Assembled Monolayers Exposed by Metastable Helium for Nano－Patterning： Octanethiol and Dodecanethiol

A large-area gold pattern with nanoscale edge on muscovite mica was fabricated by using a metastable helium beam and octanethiol (OT) and dodecanethiol (DDT) self-assembled monolayers (SAM), in which the width of edge was typically ～70nm for the OT SAM and ～90nm for the DDT SAM, respectively. The mask was reproduced with high fidelity. Combined the analysis of roughness with grain size, more fiat surface and sharper edge of patterns were obtained by using the shorter chain molecules such as the OT. All the information indicated that the OT SAMs on atomically ttat surfaces can be used as a resist for exposure to metastable atom beams.     

用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式及其应用

根据人工放射性的生长与衰变规律, 推导出一个在特殊情况下用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式, 并据此公式用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准对¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面进行了测量. 由能量为(14.1±0.2)和(14.6±0.3)MeV的中子引发的¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面值分别为(737±69)和(853±82)mb. 单能中子用T(d,n)⁴He反应获得, 其能量用铌锆截面比法测定. 为减小热中子的(n, γ)反应的影响, 在辐照过程中对样品进行了包镉处理.     

多点择优推进阵面法生成曲面三角形网格

在现有曲面非结构网格生成法的基础上,提出了一种新的曲面网格生成法——多点择优推进阵面法.它可在曲面上直接进行三角形网格划分,克服了映射法的网格变形问题,并且可以在网格生成结束后,对曲面网格直接进行Laplace格点松弛光顺.该方法使用简单,不受曲面块类型的限制,且网格质量高,可以为三维非结构网格生成提供高质量的初始阵面,并给出了若干个算例.