蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。     

重金属钋化物分子MPo（^2Ⅱ），（M=Cu，Ag，Au）的结构和势能函数

利用相对论小核赝势研究了重金属钋化物分子MPo（X^2Ⅱ），（M=Cu，Ag，Au）．用群论方法结合原子分子反应静力学原理导出了分子的基电子状态和相应的离解极限，并在各种电子相关理论水平上计算了它们的平衡几何和振动频率．在此基础上用Murrell—Sorbie函数形式拟和势能曲线，得到了总的解析势能函数，并计算出了光谱数据和力常数．     

重金属团簇(M2Te)3(M=Au, Ag, Cu)赝势从头算研究

使用相对论和非相对论赝势,在HF和MP2理论水平上研究了重金属混合/掺杂团簇(M2Te)3(M=Au, Ag, Cu) 的几何构型和稳定性.结果显示,团簇存在具有D3h,C2v和C3v对称性的三种稳定异构体,并且各异构体之间能量相差很小.电子相关效应对M-M键长的修正十分显著,而对M-Te键长和Te-M-Te键角的修正非常小.相对论效应使所有键长变短、Te-M-Te键角变大.两种效应都提高振动频率、降低能量,使团簇结构变得更加紧凑,使多聚物趋于更加稳定.     

Sol-Gel法制备NASICON材料及表征

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制得了固体电解质NASICON材料.用X射线衍射、红外光谱、拉曼光谱、核磁共振等方法对材料的结构、组成进行了分析,并对材料的电导率进行测量,证明材料具有快离子导电特性.通过对不同烧结温度下材料性质进行比较,发现900℃烧结温度下得到的材料具有更好的晶相结构和电导率.     

Sn0.55Ti0.55O2固溶体的溶胶-凝胶法制备、表征及其热稳定性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sn0.55Ti0.55O2固溶体．用X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和红外(IR)技术对材料的结构和热稳定性进行了分析表征．固溶体的热稳定性与起始反应温度有关，在40℃水浴温度下制备的凝胶经1000℃烧结，发生了相分解，出现了富Sn和富Ti相，而在80℃水浴温度下制备的凝胶经1200℃烧结也不发生相分解，仍以Sn0.55Ti0.55O2相存在，而且用差热分析也得到了同样的结论．     

Improved Performance by a Double-Insulator Layer in Organic Thin-Film Transistors

Organic thin film transistors based on pentacene are fabricated by the method of full evaporation. The thickness of insulator film can be controlled accurately, which influences the device operation voltage markedly. Compared to the devices with a single-insulator layer, the electric performance of devices by using a double-insulator as the gate dielectric has good improvement. It is found that the gate leakage current can be reduced over one order of magnitude, and the on-state current can be enhanced over one order of magnitude. The devices with double-insulator layer exhibit field-effect mobility as large as 0.14cm^2/Vs and near the zero threshold voltage. The results demonstrate that using a proper double insulator as the gate dielectrics is an effective method to fabricate OTFTs with high electrical performance.     

(CuIn)_n(n=1,2)小团簇的结构与稳定性的从头算理论研究

本文采用从头算理论MP2方法研究了合金团簇(Cu In)n(n=1,2)的结构和稳定性.计算得到的双原子分子Cu In几何参数、频率和解离能跟实验数据十分吻合.(Cu In)2团簇有五个稳定结构,基态结构是具有1A1/C2v对称性的蝴蝶结构,结合能为6.57 e V.将计算结果与同族元素体系(Cu Al)2和(Cu Tl)2对比,无论是在构型上,还是在电子特性上都有相似性.文中给出了(Cu In)2稳定构型的电子结合能能谱,希望在实验上得以验证.     

水平层状介质中任意方向磁偶极子的电磁场分布

将水平层状介质中的任意方向磁偶极子分解成水平磁偶极子(HMD)和垂直磁偶极子(VMD),给出了将VMD和HMD产生的波分解为电场矢量垂直于入射面的线形极化波(EV波)和平行于入射面的线形极化波(EP波)的方法.通过分别研究这两种波在各层介质中的反射和透射规律,导出确定各介质层中电磁波的递推公式,从而得到了任意介质层中电磁波的解析表达式.     

重金属钋化物分子MPo(2∏),(M=Cu,Ag,Au)的结构和势能函数

利用相对论小核赝势研究了重金属钋化物分子MPo(X2∏),(M=Cu,Ag,Au).用群论方法结合原子分子反应静力学原理导出了分子的基电子状态和相应的离解极限,并在各种电子相关理论水平上计算了它们的平衡几何和振动频率.在此基础上用Murrell-Sorbie函数形式拟和势能曲线,得到了总的解析势能函数,并计算出了光谱数据和力常数.     

表面气氛处理对气敏元件特性的影响

选择适当气体对气敏元件进行处理是气敏元件表面修饰的重要方法，本文利用ＳＯ２对Ｈ２Ｓ气敏元件进行了不同条件的处理，使得气敏元件的灵敏度和选择性得到了明显的改善。