射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡（SnO2₂:Sb）薄膜.制 备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄，晶粒生长的择优取向为［110］.室温下光致发光测量结果表明，在392nm附近存在强的紫外-紫光发射.研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响，并对SnO2₂:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.     

微流控芯片上镍带对磁珠运动方向的控制以及磁响应不对称现象

微流控芯片是一种将各种生化分析功能集中到一块厘米见方的芯片上.在微流控芯片上结合磁珠技术的优势一直都是研究的热点之一.然而,在只有几十到数百微米的微流体通道内对磁珠的进行控制一直都是比较困难的问题.常见方法有制作微型电磁铁~([1]),在芯片流体通道中制作镍柱,在外磁场作用下镍柱被磁化,其附近会产生一个较强的磁场梯度,从而对磁珠~([2])或细胞~([3])进行捕获,这些属于静态捕获.     

射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)薄膜.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为[110].室温下光致发光测量结果表明,在392 nm附近存在强的紫外-紫光发射,研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.