Tantalum Nitride Nanosheets for Photoacoustic Imaging-Guided Photothermal Cancer Therapy

In this study, the synthesis of TaN nanosheets and their application in theranostic agents is reported. After coating polyethylene glycol (PEG) on the TaN nanosheets, the as-synthesized PEG-modified TaN nanosheets (TaN-PEG) show good stability and biocompatibility. Because of their high absorbance in the near-IR region, TaN-PEG can be utilized as photoacoustic imaging contrast agents for tumor imaging. Moreover, TaN-PEG has significant photothermal conversion performance, exhibiting effective laser-induced tumor ablation capability. The TaN-PEG possessing excellent photoacoustic contrast effect and photothermal properties thus have great promise in theranostic applications, especially imaging-guided cancer treatment.     

Preparation and annealing study of TaNx coatings on WC-Co substrates

To prevent Co diffusion from cemented carbides at high temperatures, we fabricated TaN_x coatings by reactive direct current (d.c.) magnetron sputtering onto 6 wt.% cobalt cemented carbide substrates, to form diffusion barrier layers. Varying the nitrogen flow ratio, N₂/(Ar + N₂), from 0.05 to 0.4 during the sputtering process had a significant effect on coating structure and content. Deposition rate reduced as the nitrogen flow ratio increased. The effects of nitrogen flow ratio on the crystalline characteristics of the TaN_x coatings were examined by X-ray diffraction. The TaN_x coatings annealing conditions were 500, 600, 700, and 800 °C for 4 h in air. We evaluated the performance of the diffusion barrier using both Auger electron spectroscopy depth-profiles and X-ray diffraction techniques. We also investigated oxidation resistance of the TaN_x coatings annealed in air, and under a 50 ppm O₂-N₂ atmosphere, to evaluate the fabricated layers effectiveness as a protective coating for glass molding dies.     

笼形倍半硅氧烷NMR的研究

笼形倍半硅氧烷是一类典型的多面体有机-无机分子复合物. ²⁹Si NMR是测定这类含硅化合物结构的有效方法. 利用²⁹Si NMR对6种笼形八聚倍半硅氧烷的结构进行了研究,结合所得数据探讨了这类化合物中取代基电负性对²⁹Si NMR化学位移的影响.根据¹H,¹³C NMR数据及各峰归属可以进一步判断笼形倍半硅氧烷取代基R的类型和结构.     

一种微型空调器的优化设计

介绍了一种微型空调器的研制背景及设计方案 ,采用仿真优化的设计手段对空调器的制冷、制热系统进行了优化设计 ,实践证明其设计是成功的。同时说明了该型空调器所具有的特点及应用场合     

α,α'-二氧代烯酮环二硫代缩醛的NMR研究

报道了7种新的α,α'-二氧代烯酮环二硫代缩醛化合物的NMR谱.应用¹H、¹³C NMR谱等确定了这7种新化合物的分子结构,并对全部谱峰进行了归属,初步探讨了分子结构对化学位移的影响.     

β-D-核糖（ RI）与一价、二价金属离子相互作用的理论研究

在HF和MP2水平用全电子(AE)和相对论有效芯势(RECP)方法研究了Ⅰa、Ⅰb、Ⅱa和Ⅱb族金属离子与β D 核糖(RI)的相互作用. 结果表明, RECP能可靠地用于重金属离子;二价金属离子(M2＋)比一价金属离子(M＋)更易使β D 核糖(RI)变形;二价金属离子络合物(RI M2＋)比一价金属离子络合物(RI M＋)稳定. 电荷布居分析的结果支持上述结论.     

VOCl_3/Et_3Al_2Cl_3/CCl_4溶剂体系催化乙烯丙烯共聚

本文以VOCl_3/Et_3Al_2Cl_3为催化剂,在CCl_4溶剂中进行乙烯共聚反应。在聚合过程中,发生一异常的颜色突变现象。颜色突变后,体系催化聚合生成分子量很低的产物。从聚合物的结构表征及机理探讨表明:颜色突变后,体系产生了新的活性中心,催化机理发生了转变——由配位机理转变为阳离子机理。     

采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应, 导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻, 限制了Si基Ge探测器响应带宽. 本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器. 对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数. 发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻, 将台面直径为24 μ的探测器在1.55 μ的波 长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍. 同时, 器件暗电流减小一个数量级, 而响应度提高了2倍. 结果表明, 采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极, 可有效钝化金属与Ge界面, 减轻费米钉扎效应, 降低金属与n-Ge接触的势垒高度, 因而减小接触电阻和界面复合电流, 提高探测器的光电性能.     

采用AI／TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了si基Ge探测器响应带宽．本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的GePIN光电探测器．对比了电极分别为金属Al和A1／TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基GePIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数．发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24um的探测器在1．55um的波长和-1V偏压下的3dB响应带宽提高了4倍．同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍．结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能．     

X射线荧光光谱法测定彩涂板涂层中铅、镉和总铬

自行制备了12块校准样品,其涂层厚度和涂层中铅、镉和铬含量均按梯度分布。涂层的厚度采用GB/T 13448-2019标准所推荐的DJH法测定和定值。分析这系列样品时,测定涂层中铅、镉和总铬时用IEC 62321-5的微波法溶解后,按电感耦合等离子体原子发射光谱法定值。应用上述校正样品试验,并提出了直接测定彩涂板涂层中铅、镉和总铬含量的X射线荧光光谱法(XFS)彩涂板的基板为冷轧板,在其外表面有镀锌层。在这2种材料中都可能含有与有机涂层中待测定的含量近似的相同元素,将对测定造成干扰。此外,有机涂层中的基体元素钛及硅也对测定造成干扰。利用XRF仪器自带的薄层分析软件和基本参数法软件对上述干扰分别予以校正,使铅、镉、铬校准曲线的线性相关系数达到0.9。所提出方法测定铅、镉、铬的检出限(3s)依次为5×10^-4%,3×10^-4%,5×10^-4%。随机取3个校正样品,按所提出方法测定其中铅、镉与总铬的含量,并用IEC 62321-5标准方法进行校对分析。结果表明:两种方法的结果相互一致,所得测定值的相对标准偏差(n=6)为8.5%(铅),9.2%(镉)和11%(铬),均分别小于IEC标准方法测定值的相对标准偏差(n=6)为29%,14%,17%。本方法达到快速、准确的要求,适合用于RoHS规定对彩涂层的检量检测。