| 采用AI／TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能 |
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| 引用本文： | 吴政,王尘,严光明,刘冠洲,李成,黄巍,赖虹凯,陈松岩.采用AI／TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能[J].物理学报,2012,61(18). |
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| 作者姓名： | 吴政 王尘 严光明 刘冠洲 李成 黄巍 赖虹凯 陈松岩 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系半导体光子学研究中心,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划，国家自然科学基金，中央高校基本科研业务费，教育部博士项目基金( |
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| 摘 要： | 金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应，导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻，限制了si基Ge探测器响应带宽．本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的GePIN光电探测器．对比了电极分别为金属Al和A1／TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基GePIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数．发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻，将台面直径为24um的探测器在1．55um的波长和-1V偏压下的3dB响应带宽提高了4倍．同时，器件暗电流减小一个数量级，而响应度提高了2倍．结果表明，采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极，可有效钝化金属与Ge界面，减轻费米钉扎效应，降低金属与n-Ge接触的势垒高度，因而减小接触电阻和界面复合电流，提高探测器的光电性能．
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| 关 键 词： | AI/TaN，接触电阻，Ge PIN光电探测器，高频特性 |
Improvement on performance of Si-based Ge PIN photodetector with AI/TaN electrode for n-type Ge contact |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | A1/TaN contact resistance Ge PIN photodetector high frequency |
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