一种可自动切换量程的宽量程新型自动化电阻测量仪

设计了一种基于STC89C52单片机控制的宽量程电阻自动测量仪的系统组成结构和功能。该设计根据频率转换法利用NE555、待测电阻构成振荡电路、单片机作为信号处理芯片构成测量电路。该测量仪具有测量精度高、测量范围宽、性能可靠、操作简便、阻值读数直观等优点。     

基于无线数据传输的水火箭动态监测系统的设计与实现

基于“无线数据传输”设计一款“水火箭动态监测系统”,用于实时监测水火箭飞行过程中的高度、速度和加速度等状态数据,既为水火箭竞赛参与者提供调试指导,又可作为裁判系统辅助裁判与教学辅助.     

量子阱单激子光增益实现超低阈值连续波激光

胶质纳米晶光增益材料对于开发新一代的高效激光器前景巨大.采用外延生长法制备原子尺寸厚度的Ⅱ型CdSe/CdTe复合纳米片,研究该异质结构的光学性质及其对应的电荷动力学过程,以此探讨其光增益性能及激光应用潜能.光谱结果表明,Ⅱ型纳米片有效的电子与空穴分离结构使其表现出较大的斯托克斯位移（△_S=100 meV）和较强的激子-激子库伦排斥力（△_XX=50 meV）.△_S和△_XX的协同效应使"激子-双激子"吸收能相比单激子发射能提高了约150 meV,打破了一般纳米晶结构中两者的简并关系,这将有效抑制光吸收损失并促进单激子光增益.单激子光增益机制下该纳米片较长的单激子寿命（τ_x=394 ns）使连续激光泵浦的理论功率阈值低至12 W/cm²,这为开发实用性更强的、超低阈值的连续波激光器提供可能.     

相对论重离子碰撞中分形特性的研究

用AMPT模型产生5000个质心能量为(1/2)S=200GeV的Au-Au碰撞事件,计算了其多粒子末态系统三个不同方向的一维阶乘矩,发现三个不同平面的Hurst指数在误差范围内相等。对三维相空间进行各向同性分割,得到的阶乘矩显示出了良好的标度特性,这表明相对论重离子碰撞的末态粒子相空间是自相似的分形结构。     

实验课程考核与学业评价的改革与实践

结合基础物理实验课程的教学实践,从实验课考核体系的构建、学业评价原则、评价内容、分配评价权重、评价方式等方面进行了两年的实践,分析了实验课考核与学业评价改革效果、存在的问题,提出了改进的方向.     

基于全反射原理指纹和人脸识别技术的签到系统研究

电子签到管理方式在各行各业应用及其广泛.信息技术和物联网科技快速发展为利用生物特征考勤签到提供了科技支撑.本设计通过利用全反射和光电转换等物理原理采集指纹和人脸双重特征信息进行识别鉴定的方法,研制出一种指纹和人脸双特征智能签到系统,为考勤签到管理提供一种更好的解决方案,具有较好的推广应用价值.     

基于OpenMV的多功能救援车探究

随着物联网和信息科技的快速发展,人工智能车替代人力劳动发展迅速.有望在危险环境下代替人工作业发挥不可替代的作用.为此,文章基于光电转换等物理原理,就OpenMV摄像头和三维云台的多功能救援车进行探究,利用比例积分微分(Proportion Integral Differential,PID)算法、机器视觉识别等技术,实现自动避障、追踪、定位、瞄准和辅助救援等功能.该方案研制的作品达到预期效果,具有一定的推广应用价值.     

球形无规键无规场模型研究弛豫铁电体极化效应

基于球形无规键无规场模型和电场作用下弛豫铁电体微畴-宏畴机理,利用模糊畴界观点以及电场对极化的分数维效应,分析了电场对畴的作用机理.研究结果表明:电场对畴的诱导偶极子增量的极化效应导致了电滞回线的不饱和及相关的大的电致伸缩效应;而畴的偶极子增量耦合时结合能的变化对低电场的电滞回线略有影响,但基本不会改变高电场时的极化状态.初始微畴大小对电滞回线非常重要,细小的微畴会导致细长的电滞回线及电场与电致伸缩良好的线性关系.     

周期外力对频率涨落的过阻尼谐振子所作的功和能量随机共振

研究了周期外力对频率涨落的过阻尼谐振子系统作功的特点. 结果揭示了瞬时功率随时间的周期变化出现不对称性. 研究结果还揭示周期外力一个周期对系统所做的功随乘法噪声强度的变化出现非单调行为, 系统是否出现能量随机共振与抑制并存, 由乘法噪声与加法噪声之间互关联的符号决定. 关键词： 过阻尼谐振子 频率涨落 周期外力作功 能量随机共振与抑制     

磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10¹⁵ cm^-2条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射...