高温高压固态复分解反应法生长氮化镓的应变性质研究

本文采用高温高压下固态复分解反应法生长氮化镓.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪对其进行分析,结果表明生成了六角纤锌矿结构的氮化镓晶体.该样品在宏观上受到了张应力的作用,退火后,宏观的应变状态由张应变向压应变转变;晶体微观应力减小,晶粒尺寸变大,晶体质量变好.     

维生素B12缺乏致神经损害临床分析

维生素B12缺乏多继发于胃肠道外科手术后、贫血及其它内科疾病，其引起的神经系统损害临床表现多样，主要为周围神经损害及亚急性联合变性。测定维生素B1：值、查肌电图等可明确诊断。补充维生素B12治疗有效。     

烧结温度对红色长余辉发光材料Ca0.8Zno.2TiO3∶ Pr3+,Na+性能的影响

采用溶胶凝胶燃烧法合成了Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+,Na+纳米红色长余辉发光材料,利用XRD、SEM、荧光分光光度计、热释光谱仪和照度计研究了烧结温度对样品物相、形貌以及发光性能的影响.结果表明:煅烧温度为600℃时生成了CaTiO3相,当烧结温度大于700℃时,出现了Zn2TiO4相;随煅烧温度的升高,样品的晶粒逐渐变大,平均晶粒尺寸均小于100nm;不同温度下样品的激发峰位于328nm,发射峰位于613 nm,归属于P,+的1D2-3 H4跃迁;当烧结温度为800℃时,样品的初始亮度和余辉时间最佳,其分别为2000 mcd/m2和10 min(≥1mcd/m2).     

SPE净化-GC(NPD)测定土壤及玉米中莠去津残留量

建立了超声波提取-固相萃取净化-气相色谱法测定土壤及玉米中莠去津残留量的测定方法。样品经乙腈超声波提取,Florisil固相萃取柱净化,氮磷检测器检测。莠去津在0.05,0.1,1.0 mg/kg的3个添加水平,平均回收率为76.3％～101.3％,相对标准偏差为2.3％～8.0％,方法的最小检出量为0.01 ng。     

基于芭蕉叶分级结构的TiO2材料的制备及其吸附-光催化性能的研究

以芭蕉叶作为结构模板,通过微波辐照-HCl耦合预处理、原位生长及变温去模板过程,制备了具有分级多孔结构的TiO2光催化材料.通过环境电子扫描显微镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及N2吸附-脱附表征.结果表明:芭蕉叶-TiO2材料不仅具有模板的维管束管状结构、大孔阵列及管壁内外宽度为100 nm左右的层状褶皱结构,而且还具有典型的介孔结构,平均孔径为13.03 nm,材料比表面积为66.5 m2 g-1.以染料亚甲基蓝(MB,C16H18ClN3S 3H2O)作为模型,评价材料的吸附性能和光催化性能.结果显示:与DegussaP25及无模板的普通TiO2相比,芭蕉叶-TiO2表现出较强的吸附性能和光催化活性;对亚甲基蓝吸附率达30%,为P25的4.3倍,普通TiO2的15倍;其光催化速率分别为P25和普通TiO2的1.5倍和4倍之多.     

气体分子吸附调控CdG电子结构和磁性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,深入研究单个气体分子CO、NO、NO2、SO2、O2和H2S吸附对Cd掺杂石墨烯(CdG)电子结构和磁性的影响及调控机理.结果 表明:六种气体分子以较大的吸附能与CdG基底中的Cd原子键合并形成Cd-X键(X代表C,O,N,S),属于化学吸附;由气体吸附注入的空穴使得复合体系的电子分布发生重构,致使复合体系电子结构和磁性明显改变.CO吸附后,体系仍保持CdG基底原有的半导体性,但带隙宽度有所变化;NO、NO2、SO2和O2吸附的CdG基底转变为金属性,H2S@CdG为半金属性.CO的吸附使得原本自旋极化的CdG基底磁性消失;NO2、H2S、NO和O2吸附基底时,产生局域自旋极化.对于NO2@CdG和H2S@CdG,自旋极化主要分布于基底之上且极化方向相同,NO2和H2S发生弱极化且自旋方向相反;而NO@CdG和O2@CdG的自旋分布特征与之相反;SO2@CdG呈现完全自旋极化特征,即SO2和基底皆有显著的自旋分布但自旋方向不同.据此,由各气体分子引起体系电子结构和磁性的不同变化特征,可有效检测和甄别气体分子.     

异丙醇铝参与下的异植物醇合成工艺研究

以丙酮为起始原料,经过格氏反应、Carroll重排、氢化反应得到异植物醇,总收率69.4%。该工艺提高收率的关键步骤Carroll重排反应选用异丙醇铝为催化剂,并对反应机理进行了初步探讨。目标产物和关键中间体经MS谱,1H-NMR谱等确证了结构。改进后的合成工艺路线生产设备简单,条件温和,收率高,适合大规模化生产。     

小分子吸附调控Ti掺杂石墨烯电子结构和磁性的密度泛函理论研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了气体分子CO、NO、NO_2和SO_2吸附对Ti掺杂石墨烯(Ti G)电子结构和磁性的调制.研究表明:Ti G对CO、NO、NO_2和SO_2分子的吸附作用较强,各分子与Ti原子键合并形成Ti-X键(X代表C、O、N原子);各分子的吸附可导致Gas@Ti G体系电磁性质明显改变:CO分子吸附基底后,虽未能引起CO@Ti G体系电子性质改变和磁性的产生,却能够有效调控该体系的带隙宽度;不同于CO分子,NO、NO_2和SO_2分子的吸附使得半导体性的Ti G基底转变为金属特性,但各体系磁性表征不同:NO@Ti G发生完全自旋极化,即NO分子与基底上均有自旋分布,且二者的自旋方向相同;顺磁性的NO_2分子吸附于Ti G基底时磁性消失;SO_2分子吸附于Ti G基底后自身产生磁性,但基底几乎未发生自旋极化,SO_2@Ti G呈现自旋极化的局域分布特征.由此,依据分子吸附后体系电磁性质特征的不同,可辨识被测气体分子.此项研究结果为高灵敏度和高选择性的石墨烯基气体传感器的设计提供理论参考.     

改性石墨烯SO_2气敏性质的第一性原理研究

为了寻求高灵敏度的石墨烯基的SO_2气体传感器,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究纯净石墨烯(PG)、单空位缺陷(SVG)、SW缺陷(SWG)、Mn掺杂修饰的石墨烯(Mn-PG)及掺杂和缺陷共修饰的石墨烯(Mn-SVG和Mn-SWG)对SO_2分子的吸附特性.研究表明:PG和SWG对SO_2分子的吸附作用较弱,对SO_2分子不具有敏感性;SO_2分子在SVG表面的吸附能够有效调控其电子结构的变化,使其由金属性转变为半金属性,但其吸附能较低(0.636 eV);结合了Mn掺杂和SV缺陷的Mn-SVG基底尽管增大了与SO_2分子相互作用,但未能引起该体系电子结构和磁性的明显改变;相比之下,SO_2分子在Mn-PG和Mn-SWG基底上具有较强的吸附稳定性;同时,该分子吸附可诱发Mn-PG和Mn-SWG体系磁矩的急剧降低和电导率的显著变化,故可作为探测和清除环境中SO_2分子理想材料.该研究为设计新型石墨烯气体传感器提供理论参考.     

冷冻干燥法制备Li2O氚增殖剂陶瓷小球

以Li₂CO₃粉末为原料,采用一种冷冻干燥湿法工艺,制备出综合性能较好的Li₂O陶瓷小球。通过研究冷冻成形、煅烧、分解和烧结等工艺过程,优化了Li₂O陶瓷小球的制备工艺,并对获得的Li₂O陶瓷小球进行了性能表征。结果表明:冷冻成形制备的凝胶小球在650 ℃煅烧后可得到纯净的Li₂CO₃小球,再于真空条件下多步程序升温至720 ℃可制得主要相为Li₂O的小球,小球尺寸分布均匀,直径约为0.8 mm,平均晶粒尺寸为9 μm,于900 ℃高温烧结后小球的密度可达理论密度的69.5%。