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为了研究新型纳米结构对发光的影响,实验采用自组装的方法在低温（170℃）退火的条件下成功制备了棒状CdSe微结构阵列,并使用中心波长为365 nm的激光测量了棒状CdSe微结构阵列的荧光光谱。本文首先论述了团簇CdSe半导体材料的特性以及其荧光性质,然后通过对退火后的棒状CdSe微结构阵列的荧光测量,分析实验结果表明：棒状CdSe微结构的长度、直径和阵列间距分别为505.91 nm、205 nm和309 nm,荧光光谱出现36.16 nm蓝移。而且,按照非平衡态统计物理系统中,基于低温退火对半导体材料产生的影响,通过一维福克-普朗克方程对其形成机理进行了实验分析。这种低温退火方法为未来在新材料制备上提供了一个新的途径。 相似文献
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整数剩余类环上的正交特征群 总被引：1，自引：0，他引：1
给出了构造整数剩余类环上的一类正交变换的具体方法与步骤,该变换容易产生,没有舍入误差,运算速度快,可用于码分多路通信,具有抗噪声能力强的优点. 相似文献
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